[发明专利]半导体器件和形成用于3DFO‑WLCSP的垂直互连结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供临时载体；

以有源表面面向临时载体安装半导体管芯；以及

沉积具有在临时载体上的第一表面和与第一表面相对的第二表面的密封剂，第二表面在半导体管芯的背面上；

除去临时载体；

除去在半导体管芯的外围中的密封剂的一部分以在密封剂的第一表面中形成开口；

在半导体管芯的有源表面上形成互连结构并且延伸进入所述开口中；

形成从密封剂的第二表面到所述开口的通路；以及

在所述通路中形成电连接到互连结构的第一凸块。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在半导体管芯的有源表面上沉积临时平面化和保护层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成互连结构包括：

在半导体管芯的有源表面上以及在密封剂的第一表面上沉积第一绝缘层；

在第一绝缘层上沉积导电层，所述导电层电连接到第一凸块；

在导电层上沉积第二绝缘层；以及

在第二绝缘层上形成第二凸块并且电连接到导电层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括形成多个通路，所述多个通路被组织为具有多行的阵列，其中所述多个通路从密封剂的第二表面延伸到密封剂的第一表面中的开口。

5.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有有源表面的半导体管芯；

在半导体管芯的外围中沉积密封剂，所述密封剂具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；

在半导体管芯的外围中沉积导电材料，所述导电材料从密封剂的第一表面延伸到第二表面；以及

在半导体管芯的有源表面上形成互连结构并且电连接到导电材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中沉积导电材料包括形成铜柱。

7.根据权利要求5所述的方法，其中密封剂的第二表面包括具有垂直偏移的台阶。

8.根据权利要求5所述的方法，还包括在半导体管芯的外围中沉积导电材料之前在互连结构上沉积背面研磨胶带。

9.一种半导体器件，包括：

具有有源表面的半导体管芯；

沉积在半导体管芯的外围中的密封剂，所述密封剂具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；

形成在半导体管芯的有源表面上的互连结构；以及

导电通路，其从密封剂的第二表面延伸到互连结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中从密封剂的第二表面延伸到互连结构的导电通路包括具有垂直或锥形轮廓的侧壁。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括沉积在半导体管芯的有源表面上的破裂停止层。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括安装在半导体管芯的外围中的背面对准单元。