[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

一基板，具有一显示区、一栅极驱动区以及一源极驱动区；

多个多晶硅岛，配置于所述基板上，且各所述多晶硅岛具有一源极区、一漏极区以及一位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，所述这些多晶硅岛包括：

多个第一多晶硅岛，配置于所述显示区以及所述栅极驱动区内，所述这些第一多晶硅岛具有一主晶界以及一次晶界，所述这些第一多晶硅岛的主晶界仅位于所述这些源极区及/或所述这些漏极区内；

多个第二多晶硅岛，配置于所述源极驱动区内，且所述第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于所述第二多晶硅膜中的晶粒尺寸；以及

多个栅极，配置于所述基板上，且对应于所述这些沟道区。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述这些第二多晶硅岛中实质上仅具有次晶界。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，各所述第二多晶硅岛的晶粒尺寸为沿其沟道方向上的长度距离。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述这些第二多晶硅岛具有一主晶界以及一次晶界，其中所述这些第二多晶硅岛的主晶界仅位于所述这些源极区或所述这些漏极区内。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述这些第二多晶硅岛中的晶粒尺寸实质上大于所述第一多晶硅膜中的晶粒尺寸。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述这些第二多晶硅岛中的晶粒尺寸实质上小于所述第一多晶硅膜中的晶粒尺寸。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述这些第一多晶硅岛的晶粒尺寸为多种。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述显示区以及所述栅极驱动区包括一邻近所述源极驱动区的第一区域以及一远离所述源极驱动区的第二区域，其中位于所述第一区域中的所述这些第一多晶硅岛具有一第一晶粒尺寸，位于所述第二区域中的所述这些第一多晶硅岛具有一第二晶粒尺寸，且所述第一晶粒尺寸不同于所述第二晶粒尺寸。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板更包括多个源极以及多个漏极，其中所述这些源极分别与所述这些多晶硅岛的源极区电连接，所述这些漏极分别与所述这些多晶硅岛的漏极区电连接。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板更包括一介电层，覆盖所述这些栅极以及所述栅绝缘层，其中所述介电层具有多个开口，所述这些源极与所述这些漏极分别经由所述这些开口而与对应的所述源极区与所述漏极区电连接。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板更包括多个像素电极，其中所述这些像素电极分别与所述这些漏极电连接。