[发明专利]一种LED模组及其封装方法无效
申请号: | 201210029839.9 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN103247726A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 孙卓;陈晓红 | 申请(专利权)人: | 苏州晶能科技有限公司;华东师范大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/44 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 傅靖 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 模组 及其 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及LED灯及其封装领域,具体涉及一种LED模组及其封装方法。
背景技术
随着高亮度LED(发光二级管)技术的飞速发展及大功率LED生产技术的日趋成熟,因其低耗、高效、体积小、重量轻和寿命长等众多优点,LED作为新一代环保型固体照明光源得到广泛的应用。目前,大功率GaN基白光LED(蓝光+荧光粉)的发光效率可达到150 LM/W。通常,GaN基LED的内量子效率可以达到80%以上。但是GaN的折射率高达2.5,与空气折射率反差较大,在与空气界面处全反射的临界角只有23.6°,因此GaN基LED光提取效率都比较低。如生长在蓝宝石衬底上的GaN基LED光提取效率只有百分之几。
依据LED光在芯片内部的消耗方式,可以从减少和避免全反射、波导层反射吸收和转变光学传播模式等方式来提高GaN基LED光提取效率。如在LED表面采用表面粗化技术、制备倒金字塔型LED结构和在LED有源层两侧生长高反DBR(分布布拉格反射)层形成谐振腔,使有源区发出的光线集中分布在全发射临界角内等方法提高光提取效率。对于已制备好的GaN芯片表面,也可采用真空镀膜的方式制备多层折射率可调的薄膜,以降低LED表面的折射率并提高芯片外量子效率,如专利(CN200610003977.4.A)所述。但此方法需要采用真空镀膜如溅射、蒸发等工艺,其设备昂贵,工艺较复杂,制备成本较高,不利于LED作为通用照明应用。
作为制备LED模块的重要封装技术环节,合理选择灌封胶和封装方式,对提高LED光提取效率同样很重要,而采用此技术路线,易于降低设备和工艺成本,从而有效地降低LED光源的成本,加速在照明领域的应用和普及。让GaN基LED蓝光芯片和荧光粉相结合产生高效LED光源,其中一个关键环节就是提高LED模块的出光率。目前,封装LED光源的常用灌封胶是环氧树脂和硅氧烷树脂胶。硅氧烷树脂相对于环氧树脂而言,具有透光率高、折射率高、热稳定性好和应力小等优点,明显好于环氧树脂,在大功率LED封装中得到广泛应用。但硅胶折射率通常只有1.5,通过改性的硅胶最高折射率(如1.7)与GaN的折射率2.5比明显偏低,影响LED光提取效率。因此,研制增加LED芯片的出光效率,特别是研究GaN基LED的光反射角的灌封胶材料或者封装方案,对提高LED光提取效率并降低成本具有重要的应用价值。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足,解决LED光提取效率较低的问题,特别是白光LED(GaN基蓝光LED+荧光粉)中光提取效率不高的问题。
为实现上述目的,本发明的技术方案是,一种LED模组,包括一个可发光二极管(LED)和涂层,所述涂层包括:
涂覆在LED芯片表面或者LED基底的,用于增加LED的光全反射角、提高LED芯片内的光射向涂层的效率的第一涂层;
以及位于最外层的,降低LED光在空气界面处的反射的最外涂层;
所述第一涂层的折射率高于最外涂层的折射率。
优选的,所述涂层还包括位于第一涂层和最外涂层之间的,折射率介于第一涂层和最外涂层之间,减少光从第一涂层传到最外涂层的反射的中等折射率的第二涂层,该第二涂层通过高低折射率材料混合获得,或用中间折射率材料构成。
优选的,所述高折射率的第一涂层的材料是氧化钛或其复合材料。
优选的,所述低折射率的最外涂层的材料是透明硅氧烷树脂、环氧树脂、或微孔结构的氧化硅,或氧化硅复合材料。
优选的,所述不同折射率的涂层之间有一渗透形成的过渡层。
优选的,所述涂层的材料为氧化物或氟化物或氮化物或环氧树脂的透明胶体,材料折射率在2.4-1.2之间。
本发明还提供一种LED模组的封装方法,选择两种不同折射率的材料,将高折射率材料作为LED芯片附近的第一涂层直接涂覆在所述LED芯片上或所述LED的基底上,然后将低折射率材料作为最外涂层涂覆其外,低折射率涂层外表面为光面、粗化面或具有纳米孔隙结构。
优选的,在高折射率的第一涂层和低折射率的最外涂层的中间,用折射率值介于第一涂层和最外涂层之间的胶体作为第二涂层涂覆。
优选的,其特征在于,将含TiO2胶体的高折射率材料涂覆于LED 芯片上,接着涂覆混合TiO2胶体高折射率材料和SiO2胶体低折射率材料混合形成的中等折射率胶体在上面作为第二涂层,最后涂覆低折射率硅胶或者环氧树脂。
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