[发明专利]降低凹槽侧壁上的条痕的方法无效
| 申请号： | 201210030084.4 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102810472A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李秀春;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3105;G03F1/72 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 凹槽 侧壁 条痕 方法 | ||
1.一种降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，包含：
提供一衬底，一光阻层覆盖所述衬底；
图案化所述光阻层以形成一图案化光阻层；
进行一修补工艺，所述修补工艺包含以修补气体对所述图案化光阻层进行处理，所述修补气体包含CF4、HBr、O2或He；以及
在所述修补工艺之后，利用所述图案化光阻层为掩膜，蚀刻所述衬底。
2.根据权利要求1所述的降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，在进行所述修补工艺之前，所述图案化光阻层具有一具有条痕的表面。
3.根据权利要求1所述的降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，在进行所述修补工艺之后，所述图案化光阻层会具有一平滑的表面。
4.根据权利要求1所述的降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，所述修补工艺包含以含有修补气体的电浆，处理所述图案化光阻层。
5.根据权利要求1所述的降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，在利用所述图案化光阻层为掩膜蚀刻所述衬底之后，一凹槽形成于所述衬底内。
6.根据权利要求5所述的降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，所述凹槽包含一接触洞或一沟渠。
7.根据权利要求1所述的降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，一抗反射层设置于所述衬底和所述光阻层之间。
8.根据权利要求7所述的降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，在形成所述图案化光阻层之后以及进行所述修补工艺之前，以所述图案化光阻层为掩膜蚀刻所述抗反射层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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