[发明专利]半导体衬底聚酰亚胺工艺无效
| 申请号： | 201210030415.4 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102543686A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴正泉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 聚酰亚胺 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体衬底聚酰亚胺工艺，其特征在于，包括：
对半导体衬底依次进行钝化层刻蚀、第一干法去胶以及湿法去胶；
对所述半导体衬底进行第二干法去胶；
对所述半导体衬底进行聚酰亚胺光刻工艺。
2.如权利要求1所述的半导体衬底聚酰亚胺工艺，其特征在于，所述半导体衬底为硅片。
3.如权利要求1所述的半导体衬底聚酰亚胺工艺，其特征在于，所述第一干法去胶为等离子去胶法，去胶气体为氧气，去胶时间为150～300秒，去胶温度为220～300摄氏度。
4.如权利要求1所述的半导体衬底聚酰亚胺工艺，其特征在于，所述湿法去胶为EKC湿法去胶。
5.如权利要求1所述的半导体衬底聚酰亚胺工艺，其特征在于，所述第二干法去胶为等离子去胶法，去胶气体为氧气，去胶时间为150～300秒，去胶温度为220～300摄氏度。
6.如权利要求1所述的半导体衬底聚酰亚胺工艺，其特征在于，所述聚酰亚胺光刻工艺包括：
在所述半导体衬底上涂敷聚酰亚胺膜；
对涂敷后的半导体衬底依次进行前烘；
对前烘后的半导体衬底进行曝光；
对前烘后的半导体衬底进行显影；
对显影后的半导体衬底进行坚膜与热固化。
7.如权利要求1所述的半导体衬底聚酰亚胺工艺，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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