[发明专利]一种化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201210030458.2 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102528640A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 石强;李志国;李儒兴;陈海蓉 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/02 | 分类号： | B24B37/02;B24B37/11 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械研磨方法，包括：
以第一软研磨垫进行第一研磨工艺；
接着，以第一硬研磨垫进行第二研磨工艺。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述待研磨层为介质层。
3.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，第一研磨工艺去除的待研磨层的厚度为待研磨层总厚度的20％-50％。
4.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述第一软研磨垫的硬度低于50萧氏硬度。
5.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，执行第一研磨工艺时，研磨头向下的压力范围为4.5-6.5psi，研磨时间范围为0-2min。
6.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述第一硬研磨垫的硬度范围为50-70萧氏硬度。
7.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，执行第二研磨工艺时，研磨头向下的压力范围为4.5-6.5psi，研磨时间范围为0-2min。
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