[发明专利]2,3,4,5-四(3’,4’-二羟基苯基)噻吩及其作为MALDI基质分析小分子的应用有效

专利信息
申请号: 201210030531.6 申请日: 2012-02-10
公开(公告)号: CN102603707A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 聂宗秀;陈素明;陈力;陈芮;王佳宁;侯剑 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C07D333/16 分类号: C07D333/16;G01N27/62
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 羟基 苯基 噻吩 及其 作为 maldi 基质 分析 分子 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种2,3,4,5-四(3’,4’-二羟基苯基)噻吩及其作为MALDI基质分析小分子的应用。 

背景技术

自1988年Karas et al.和Tanaka et al.报道采用基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF MS)技术可以有效的进行生物大分子质谱的分析以来,MALDI-TOFMS技术备受各国研究者的青睐。但由于MALDI-TOF MS技术常用的基质,如α-腈基-4-羟基肉桂酸(CHCA)、2,5-二羟基苯甲酸(DHB)、芥子酸(SA)、3-羟基-2-吡啶甲酸(3-HPA)、蒽三酚(DI)和3-氨基喹啉(3-AQ)等在分析过程中发生碎裂及分子之间的缔合等会在m/z<500的范围内产生严重的基质背景干扰现象,因此,采用这些基质不能有效的分析m/z<500的小分子化合物。 

为了避免基质背景干扰现象的产生,研究者们通过对MALDI-TOF MS机理的研究提出了许多可行的改进方法。如先后引入无机物基质、聚合物基质、碳材料基质(如碳纳米管、富勒烯、石墨烯等)、混合基质等新基质或通过对多孔硅表面进行化学修饰从而采用无基质解吸/电离方法来克服以有机小分子作为基质分析小分子化合物的不足。 

但是使用无机物、碳材料基质等方法存在着制备繁琐、费用较高、灵敏度较低等问题,不能充分体现MALDI-TOF MS分析样品快速、高灵敏的特点。在多孔硅表面发生解吸/电离时首先要在硅晶表面进行刻蚀使其产生纳米结构的表面,在这样的表面虽然可以直接分析多肽和抗病毒药物,但由于这种表面的重复使用效果不好,因此就需要在同样的纳米结构表面上进行反复处理以得到能重复使用的表面。此外,对多孔硅表面进行化学修饰耗时较长而且经过修饰多孔硅重复使用时分析效果会大大下降。质子海绵作为一种有机基质在低分子量范围内不会产生干扰,但是它只能分析有机酸类化合物。 

因此,提供一种操作方法简单,成本低廉,适用范围广,在小于m/z 500内没有或只有很低背景峰的基质以及样品制备分析方法,是对当前基于MALDI的质谱分析的重要和有力补充,具有广泛的实用意义。 

发明内容

本发明的一个目的是提供2,3,4,5-四(3’,4’-二羟基苯基)噻吩及其制备方法。2,3,4,5-四(3’,4’-二羟基苯基)噻吩的结构式如式IV所示: 

(式IV) 

制备方法包括下述步骤: 

1)在钯催化剂和碱存在的条件下,使式I所示的四溴噻吩和式II所示的3,4-二甲氧基苯基硼酸进行反应,得到式III所示的2,3,4,5-四(3’,4’-二甲氧基苯基)噻吩; 

2)将式III所示的2,3,4,5-四(3’,4’-二甲氧基苯基)噻吩与三溴化硼进行反应,得到式IV所示的2,3,4,5-四(3’,4’-二羟基苯基)噻吩。 

其中,步骤1)中所述钯催化剂具体可为Pd(PPh3)4,所述催化剂Pd(PPh3)4的加入量可为四溴噻吩摩尔数的0.1%-20%。 

所述碱具体可为K3PO4,所述K3PO4的加入量可为3,4-二甲氧基苯基硼酸摩尔数的50-200%。K3PO4作为碱,一方面与钯催化剂作用,形成强亲电性的有机钯中间体;另一方面与芳基硼酸作用,生成酸根型配合物四价硼酸盐中间体,具亲核性,然后两种中间物质相互作用生成产物。 

所述式I所示化合物与式II所示化合物的摩尔比可为1∶(4-10)。 

所述反应的反应温度为50-150℃,反应时间为5-24小时。 

所述反应在由1,4-二氧六环和水组成的反应介质中进行,其中,1,4-二氧六环、K3PO4和水的体积比(1-10)∶(0.1-2)。 

步骤2)中所述式III所示化合物与三溴化硼的摩尔比为1∶(8-40)。 

所述反应的反应介质为二氯甲烷。 

所述反应的过程如下:先在-78-0℃下反应1-5小时;然后在室温反应1-5小时;最后冷却至0--10℃。 

(式I)             (式II)             (式III) 

本发明的另一个目的是提供2,3,4,5-四(3’,4’-二羟基苯基)噻吩的一个用途。 

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