[发明专利]内部电源电压生成电路

说明书

技术领域

本发明涉及生成内部电源端子的内部电源电压并将内部电源电压提供给逻辑电路的内部电源电压生成电路。

背景技术

说明以往的内部电源电压生成电路。图7是示出以往的内部电源电压生成电路的框图。

饱和连接的晶体管701利用源极跟随器的结构，将给予栅极的电压VDD降压到内部电源电压DVDD并将其输出。逻辑电路702依靠该内部电源电压DVDD和接地电压VSS进行动作。

作为逻辑电路702，可列举输出高电平或低电平的信号的电路，例如振荡电路、对输入的脉冲数进行计数的计数器等。

在逻辑电路702动作时，由于内部电源电压DVDD被保持为固定值，因而逻辑电路702可稳定进行动作。

逻辑电路702动作时的消耗电流明显依赖于贯穿电流，并依赖于其电源电压的大小。逻辑电路702用的电源电压从电源电压VDD降低到内部电源电压DVDD，逻辑电路702动作时的贯穿电流相应地减少(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】日本特开平08-018339号公报

然而，在现有技术中，由于内部电源电压DVDD与构成逻辑电路702的P型晶体管和N型晶体管的阈值电压不相关，因而依赖于晶体管的阈值电压偏差，导致逻辑电路702动作时的贯穿电流发生偏差。

逻辑电路702的贯穿电流是由于构成逻辑电路702的P型晶体管和N型晶体管同时处于导通状态而产生的。当电源电压大于构成逻辑电路702的P型晶体管与N型晶体管的阈值电压的绝对值之和时，施加给晶体管的过激励电压增大，因而贯穿电流增大。即，阈值电压的绝对值越低，施加给晶体管的过激励电压就越大，因而贯穿电流增大。

因此，存在这样的问题：当构成逻辑电路702的P型晶体管和N型晶体管的阈值电压的绝对值稍低地发生偏差时，逻辑电路702动作时的贯穿电流过大，导致消耗电流增大。

也就是说，被提供内部电源电压DVDD的逻辑电路702动作时的贯穿电流依赖于构成逻辑电路的P型晶体管和N型晶体管的阈值电压，导致消耗电流增大。

发明内容

因此，本发明正是为了解决上述问题而完成的，本发明实现一种内部电源电压生成电路，被提供内部电源电压的逻辑电路动作时的贯穿电流不会由于构成逻辑电路的P型晶体管和N型晶体管的阈值电压偏差的影响而过大。

本发明的内部电源电压生成电路，其特征在于，所述内部电源电压生成电路具有：输出晶体管，其以跟随给予输入端的电压的方式产生输出电压；以及电压源，其设置在输出晶体管的输入端，内部电源电压是根据构成电压源的N型晶体管的阈值电压与P型晶体管的阈值电压的绝对值之和给予的。

根据本发明的内部电源电压生成电路，可提供一种内部电源电压生成电路，被提供内部电源电压的逻辑电路动作时的贯穿电流不会由于构成逻辑电路的P型晶体管和N型晶体管的阈值电压偏差的影响而过大，能够抑制消耗电流。

附图说明

图1是说明第1实施方式的内部电源电压生成电路的框图。

图2是说明第1实施方式的内部电源电压生成电路的框图。

图3是说明第1实施方式的内部电源电压生成电路的框图。

图4是说明第2实施方式的内部电源电压生成电路的框图。

图5是说明第2实施方式的内部电源电压生成电路的框图。

图6是说明第2实施方式的内部电源电压生成电路的框图。

图7是以往的内部电源电压生成电路的框图。

标号说明

101：电压源；201、301、302、501、601、602：电流源；702：逻辑电路。

具体实施方式

图1是示出本发明的第1实施方式的内部电源电压生成电路的框图。

第1实施方式的内部电源电压生成电路具有N型MOS晶体管701和电压源101。

晶体管701的漏极与电源端子连接，晶体管701的源极与内部电源电压输出端子DVDD连接。电压源101与晶体管701的栅极连接。作为负载的逻辑电路702与内部电源电压输出端子DVDD连接。

以下，说明本发明的第1实施方式的内部电源电压生成电路的动作。

晶体管701利用源极跟随器的结构，将给予栅极的电压源101的电压降压到内部电源电压DVDD并将其输出。即，将给予输入端子即栅极的电压源101的电压作为内部电源电压DVDD输出到源极以跟随该电压。逻辑电路702依靠该内部电源电压DVDD和接地电压VSS进行动作。