[发明专利]热处理装置及热处理方法有效
申请号: | 201210030625.3 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN102637618A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 似鸟弘弥 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F26B21/00;F26B21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 | ||
1.一种热处理装置,其是将分层保持有多张基板的基板保持器从立式的热处理炉的下方侧送入到该立式的热处理炉内并对基板进行热处理的装置,其中,
该热处理装置包括:
加载室,其位于上述热处理炉的下方侧;
保持器升降机构,其设在上述加载室内,用于使基板保持器在上述热处理炉内的加载位置与上述热处理炉的下方的卸载位置之间升降;
气流形成机构,其用于从上述加载室的前表面朝向与该前表面相对的后表面的第1排气口地形成横向的气流;
保持器输送机构,其能够将上述基板保持器输送到上述卸载位置;
热排气部,在从左右方向观察处于上述卸载位置的上述基板保持器时,该热排气部位于比该基板保持器的前端靠后方侧且比上述第1排气口靠前方侧的位置、并且形成有第2排气口,该第2排气口至少与上述基板保持器的上部区域相对而用于对由卸载后的上述基板保持器及上述基板加热成高温的气氛气体进行排气。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
上述保持器输送机构设在比上述卸载位置靠前方侧的位置,
该热处理装置还包括冷却气体供给部,该冷却气体供给部设在比上述卸载位置靠前方侧且比上述保持器输送机构靠后方侧的位置,该冷却气体供给部具有用于朝向处于上述卸载位置的上述基板保持器供给冷却气体的供给口。
3.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
上述热排气部包括沿着上下方向延伸的筒状构件,该筒状构件形成有上述第2排气口。
4.根据权利要求2所述的热处理装置,其中,
上述冷却气体供给部是沿着上下方向延伸的、并且沿着其长度方向形成有上述供给口的冷却气体喷嘴。
5.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
上述热排气部包括第1热排气部和第2热排气部,在从处于上述卸载位置的上述基板保持器观察时,该第1热排气部设在右侧,该第2热排气部设在左侧。
6.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
上述冷却气体供给部包括第1冷却气体供给部和第2冷却气体供给部,在从处于上述卸载位置的上述基板保持器观察时,该第1冷却气体供给部设在左侧,该第2冷却气体供给部设在右侧。
7.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
上述第2排气口以沿着从处于上述卸载位置的上述基板保持器的上部朝向下方的方向地开口面积渐渐地变小的方式形成。
8.一种热处理方法,其是将分层保持有多张基板的基板保持器从立式的热处理炉的下方侧送入到该立式的热处理炉内并对基板进行热处理的方法,其中,
该热处理方法包括以下工序:
在位于上述热处理炉的下方侧的加载室内从上述加载室的前表面朝向与该前表面相对的后表面的第1排气口地形成横向的气流;
利用保持器输送机构将上述基板保持器输送到上述加载室内的卸载位置;
利用保持器升降机构使上述基板保持器从上述卸载位置升降到热处理炉内的加载位置;
利用热排气部对由卸载后的上述基板保持器及上述基板加热成高温的气氛气体进行排气,在从左右方向观察处于上述卸载位置的上述基板保持器时,该热排气部位于比该基板保持器的前端靠后方侧且比上述第1排气口靠前方侧的位置、并且至少与上述基板保持器的上部区域相对地形成有第2排气口。
9.根据权利要求8所述的热处理方法,其中,
上述保持器输送机构设在比上述卸载位置靠前方侧的位置,
该热处理方法还包括以下工序:利用设在比上述卸载位置靠前方侧且比上述保持器输送机构靠后方侧的位置的冷却气体供给部向处于上述卸载位置的上述基板保持器供给冷却气体。
10.根据权利要求8所述的热处理方法,其中,
对由上述卸载后的上述基板保持器及上述基板加热成高温的气氛气体进行排气的工序是利用在沿着上下方向延伸的筒状构件上形成有上述第2排气口的上述热排气部进行排气的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造