[发明专利]工件分割装置及工件分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及工件分割装置及工件分割方法，尤其涉及对于经由切割带安装在环状的框架并切割、分组加工成各芯片的半导体晶片，在切割加工后使切割带扩展而分割成各个芯片的工件分割装置及工件分割方法。

背景技术

目前，在制造半导体芯片时，在例如将半导体晶片经由带有被称为DAF(Die Attach Film芯片粘接膜)的芯片接合用膜状粘接剂的切割带(粘结带、粘结片)而铺设在框架上的工件中，通过扩张(扩展)切割带而将半导体晶片及DAF分割成各个芯片，其中所述半导体晶片预先通过激光照射等而在其内部形成有预定分离线。

在图28中示出工件。图28(a)为立体图，图28(b)为剖视图。如图所示，半导体晶片W在背面经由DAF(D)粘贴有在单面上形成有粘结层的厚度100μm左右的切割带S。并且，切割带S安装在具有刚性的环状的框架F上，在工件分割装置中，半导体晶片W载置在工作台上，通过将切割带S扩展而单片化(分割)成各芯片T。

在此，DAF在室温附近时粘性高，为了如上述那样使带有DAF的带扩张而将半导体晶片单片化成芯片，必须在冷却DAF而使其脆性化的状态下使带扩张。作为具有代表性的冷却方法公知有低温工作盘方式和气氛冷却方式。

另一方面，为了进行扩张带而将芯片单片化后的工序中的处理，必须将扩张后的松弛的带再度张紧。作为具有代表性的张紧方法，包括将带扩张用环与框架铆接(かしめる)的方式和利用暖风加热器等加热带的方式。其中，使用暖风加热器的方法虽然运转成本低，但由于暖风具有扩散的特性，因此将带搭载到冷却、扩张的单元上进行冷却、扩张及加热、张紧难以在一个单元中进行。

例如，作为工件分割装置提出有如下工件分割装置(例如，参照专利文献1等)，该工件分割装置具有：分割机构，其保持经由切割带将预先形成有预定分割线的工件支承的状态下的框架即带工件的框架的框架，使框架与工件在与工件的面正交的方向上分离而扩张切割带，由此将工件沿着预定分割线分割；加热机构，其通过加热而除去因扩张产生的切割带的松弛；清洗机构，其在使带工件的框架旋转的同时对工件供给清洗液从而清洗工件；对工件的切割带照射紫外线的机构。

【先行技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2010-206136号公报

然而，在上述专利文献1中记载的装置中，由于冷却、扩张单元和热收缩单元为分开的单元，因此在带松弛的状态下在所述单元间输送工件。在带松弛这样的状态下进行的输送存在以下情况，即，由于带形状垂下很多而不稳定，因此在带上单片化后的芯片的上表面彼此相互接触或受到过度的弯曲应力。因此，存在导致芯片的破损、品质下降和材料利用率降低的问题。

此外，在使松弛的带张紧时，在利用整面加热器等使气氛过热的情况下，先冷却而脆化的带也被加热，导致其具有过度的粘性。即，此后，在将芯片从切割带剥离时，由于具有过度的粘结力的DAF的影响，无法将芯片从切割带完好地剥离。因情况的不同，还可能存在DAF彼此粘在一起而导致芯片间的分离性变差的情况。

发明内容

本发明是鉴于上述这样的问题而作出的，其目的在于提供一种工件分割装置及工件分割方法，通过利用同一单元来实施工件的冷却、扩张及基于热收缩等的扩张状态的保持而避免单元间的工件输送，防止因切割带的松弛导致的芯片相互的接触引起的品质下降等，并且防止通过加热DAF而使其过度地与切割带粘结。

为了实现所述目的，本发明的工件分割装置将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的工件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片，其中，具备：工件，其由具有预定分离线的半导体晶片构成；选择性冷却机构，其选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述工件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却；工件分割机构，其在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述工件及所述芯片粘接膜分割；选择性加热机构，其选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述工件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展引起的松弛。

根据本发明，由于具备选择性地对贴附有工件的芯片粘接膜的区域进行冷却的选择性冷却机构和选择性地对切割带的贴附有工件的区域以外的部分进行加热的选择性加热机构，因此能够在同一单元内实施工件的冷却、扩张和扩展状态的保持，无需在单元间进行工件输送，能够防止切割带的因松弛导致的芯片的品质下降等。

此外，作为一实施方式，优选，所述选择性冷却机构是与经由所述芯片粘接膜贴附有所述工件的所述切割带接触而利用热传递进行冷却的冷却机构。