[发明专利]光程的温度依赖性小的氧化物材料无效

专利信息
申请号: 201210031457.X 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN102674812A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 渡边渚;田中功 申请(专利权)人: 株式会社小原;国立大学法人山梨大学
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C30B29/22;G02B5/18
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光程 温度 依赖性 氧化物 材料
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿型(ABO3)氧化物材料,其特征在于,在-20~80℃的温度范围中,相对于波长1553nm的光程温度系数(OPD)的绝对值为6ppm/℃以下,在此,OPD是由折射率n和线热膨胀系数CTE表示为(1/n)×(dn/dT)+CTE的特性,A是选自Na、K、Rb、Cs、Ag、Ca、Sr、Ba、Zn、Pb、Y、Ln(镧系元素)、Bi中的1种以上的成分,B是选自Ti、Zr、Hf、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、V、Nb、Ta中的1种以上的成分。

2.根据权利要求1所述的氧化物材料,其特征在于,在所述钙钛矿型(ABO3)氧化物中,包含Sr和La、以及Ti和Al。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物材料,其特征在于,其为(Sr1-X,LaX)(Ti1-X,AlX)O3,在此,0.04<X<0.80。

4.根据权利要求3所述的氧化物材料,其掺杂有选自Na、K、Rb、Cs、Ag、Ca、Ba、Zn、Y、Ln1、Pb和Bi中的1种以上的成分,在此,Ln1是La以外的镧系元素。

5.根据权利要求3或4所述的氧化物材料,其掺杂有选自Zr、Hf、Ga、In、Si、Ge、Sn、V、Nb和Ta中的1种以上的成分。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的氧化物材料,其为单晶。

7.一种标准具滤波器基板,其包含权利要求1~6中任一项所述的氧化物材料。

8.一种固体标准具滤波器,其包括权利要求7所述的标准具滤波器基板。

9.一种集成光路基板,其包含权利要求1~6中任一项所述的氧化物材料。

10.一种衍射光栅基板,其包含权利要求1~6中任一项所述的氧化物材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社小原;国立大学法人山梨大学,未经株式会社小原;国立大学法人山梨大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210031457.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top