[发明专利]放射率测定方法、放射率测定装置、检查方法及检查装置无效
申请号: | 201210031490.2 | 申请日: | 2012-02-13 |
公开(公告)号: | CN102759507A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 壁谷泰宏;古田宽和;八木晴久 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G01N21/17 | 分类号: | G01N21/17 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射 测定 方法 装置 检查 | ||
1.一种放射率测定方法,其特征在于包括:
红外光照射步骤,对被检物照射第一放射能的红外光;
测定步骤,根据来自照射了所述红外光的所述被检物的反射红外光测定第二放射能;以及
计算步骤,基于所述第一放射能与所述第二放射能计算所述被检物的放射率。
2.根据权利要求1所述的放射率测定方法,其特征在于包括:
温度取得步骤,取得所述被检物的温度;
所述计算步骤基于所述第一放射能、所述第二放射能、以及所述温度计算所述被检物的放射率。
3.根据权利要求2所述的放射率测定方法,其特征在于包括:
所述温度取得步骤测定所述被检物周围环境的环境温度,并且将测定的所述环境温度作为所述被检物的所述温度来取得。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的放射率测定方法,其特征在于:
在所述第一放射能为Q1,所述被检物的温度为Ta[K],斯蒂芬-波尔兹曼常数为σ的情况下,满足以下的(式1)的条件:
σ(Ta+500)4≤Q1≤σ(Ta+5000)4 (式1)。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的放射率测定方法,其特征在于:
所述被检物的所述第一红外光的被照射区域与所述被检物的所述第二放射能的被测定区域相等。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的放射率测定方法,其特征在于:
所述被检物的所述第一红外光的被照射区域与所述被检物的所述第二放射能的被测定区域相等,
在所述第一放射能为Q1,所述被检物的所述温度为Ta[K],斯蒂芬-波尔兹曼常数为σ的情况下,满足以下的(式1)的条件:
σ(Ta+500)4≤Q1≤σ(Ta+5000)4 (式1)。
7.一种检查方法,其特征在于包括:
检查步骤,基于使用权利要求6所述的放射率测定方法计算出的放射率检查被检物是否为良品。
8.根据权利要求7所述的检查方法,其特征在于:
所述检查步骤在计算出的所述放射率不足0.5的情况下将所述被检物判定为不良。
9.一种放射率测定装置,其特征在于包括:
光源,对被检物照射第一放射能的红外光;
测定部,根据来自照射了所述红外光的所述被检物的反射红外光测定第二放射能;以及
计算部,基于所述第一放射能与所述第二放射能计算所述被检物的放射率。
10.根据权利要求9所述的放射率测定装置,其特征在于包括:
温度取得部,取得所述被检物的温度;
所述计算部基于所述第一放射能、所述第二放射能、以及所述温度,计算所述被检物的放射率。
11.根据权利要求10所述的放射率测定装置,其特征在于:
所述温度取得部测定所述被检物周围环境的环境温度,并且将测定的所述环境温度作为所述被检物的所述温度来取得。
12.根据权利要求9~11中任一项所述的放射率测定装置,其特征在于:
在所述第一放射能为Q1,所述被检物的温度为Ta[K],斯蒂芬-波尔兹曼常数为σ的情况下,满足以下的(式2)的条件:
σ(Ta+500)4≤Q1≤σ(Ta+5000)4 (式2)。
13.根据权利要求9~11中任一项所述的放射率测定装置,其特征在于:
所述光源的所述第一红外光的照射区域与所述测定部的所述第二放射能的测定区域相等。
14.根据权利要求9~11中任一项所述的放射率测定装置,其特征在于:
所述光源的所述第一红外光的照射区域与所述测定部的所述第二放射能的测定区域相等,
在所述第一放射能为Q1,所述被检物的温度为Ta[K],斯蒂芬-波尔兹曼常数为σ的情况下,满足以下的(式2)的条件:
σ(Ta+500)4≤Q1≤σ(Ta+5000)4 (式2)。
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