[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的电子传输层；和

在所述电子传输层上形成的电子供给层，

其中在所述衬底的表面上以混合方式存在与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，所述衬底包括：

与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的第一衬底材料；和

设置在所述第一衬底材料上且与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的第二衬底材料，

其中在所述第二衬底材料中形成用于暴露出所述第一衬底材料的开口。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，所述衬底包括：

与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的第二衬底材料；和

设置在所述第二衬底材料上且与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的第一衬底材料，

其中在所述第一衬底材料中形成用于暴露出所述第二衬底材料的开口。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第一衬底材料是硅衬底材料。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第二衬底材料是蓝宝石衬底材料。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述电子传输层包含氮化物半导体。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述第一区域和所述第二区域以不规则的方式布置。

8.一种包括化合物半导体器件的电源装置，其中所述化合物半导体器件包括：

衬底；

形成在所述衬底上的电子传输层；和

形成在所述电子传输层上的电子供给层，

其中在所述衬底的表面上以混合方式存在与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。

9.一种包括化合物半导体器件的高功率放大器，其中所述化合物半导体器件包括：

衬底；

形成在所述衬底上的电子传输层；和

形成在所述电子传输层上的电子供给层，

其中在所述衬底的表面上以混合方式存在与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。

10.一种制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成电子传输层；以及

在所述电子传输层上形成电子供给层，

其中在所述衬底的表面上以混合方式存在与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。

11.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述衬底包括：

与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的第一衬底材料；和

设置在所述第一衬底材料上且与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的第二衬底材料，

其中在所述第二衬底材料中形成用于暴露出所述第一衬底材料的开口。

12.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述衬底包括：

与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的第二衬底材料；和

设置在所述第二衬底材料上且与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的第一衬底材料，

其中在所述第一衬底材料中形成用于暴露出所述第二衬底材料的开口。

13.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第一衬底材料是硅衬底材料。

14.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第二衬底材料是蓝宝石衬底材料。

15.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述电子传输层包含氮化物半导体。

16.根据权利要求10至15中任一项所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第一区域和所述第二区域以不规则的方式布置。