[发明专利]触控显示面板无效
申请号: | 201210031828.4 | 申请日: | 2012-02-13 |
公开(公告)号: | CN103246381A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 周建良;苏振豪 | 申请(专利权)人: | 联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/133;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 523808 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及一种电子装置,尤其涉及一种整合式触控面板以及触控显示面板。
背景技术
一般而言,触控显示面板是将触控面板贴附于显示面板上,以使触控显示面板具有触控感测以及显示的功能。触控面板通常包括多个沿着X轴方向延伸的第一感测串列,以及多个沿着Y轴方向延伸的第二感测串列,其中每一第一感测串列与每一第二感测串列分别具有串接的多个感测垫。当以手指触碰触控面板时,会改变感测垫之间的电容,将此改变信号传回控制器,即可计算接触发生点的座标,进而使得显示面板可以根据使用者的选择而进行显示画面的改变。
然而,触控面板与显示面板分别具有承载各自元件的基板,将触控面板与显示面板贴合后,虽然构成一具有触控以及显示功能的触控显示面板,但其整体厚度无法有效薄化,无法满足消费者对于电子产品轻薄短小的需求。此外,此种现有技术中,由于显示用光线必须通过多层基板,使得触控显示面板整体光穿透率下降。
发明内容
本发明提供一种触控显示面板,其可整合盖板、触控以及显示的功能,并具有薄化整体厚度及提升光穿透率的效果。
本发明提出一种触控显示面板,其包括一第一基板、一第二基板、多个触控感测结构以及一显示介质。显示介质位于第一基板与第二基板之间。第一基板具有多个阵列排列的像素结构、多条扫描线以及至少一读出线。第二基板位于第一基板的对向。多个触控感测结构位于第一基板与第二基板之间,且每一触控感测结构位于每M×N个像素结构中的其中之一,M、N为正整数,每一触控感测结构包括一感测主动元件、一触控间隙物以及一桥接电极。感测主动元件位于第一基板上,感测主动元件包括一底栅极、一通道、一源极及一感应电极以及一顶栅极,其中顶栅极以及底栅极分别位于通道的顶面与底面,源极与感应电极位于顶栅极与通道之间且分别位于通道的两侧,顶栅极具有一开口,以将顶栅极分为电性分离的一第一电极以及一第二电极,第一电极电性连接扫描线的至少其中之一,且感应电极电性连接读出线。触控间隙物位于第二基板上,且位于开口上方。桥接电极覆盖触控间隙物的面向感测主动元件的表面,桥接电极与顶栅极之间具有一间隙,当对触控显示面板按压时,桥接电极与顶栅极接触而使第一电极与第二电极电性连接,使得通道的控制由顶栅极与底栅极的其中之一转变为顶栅极与底栅极二者,而于感应电极形成一感测电流。
基于上述,本发明的触控显示面板中,是将触控元件直接制作于显示面板的主动元件阵列基板以及彩色滤光基板上,在按压前后藉由改变感测主动元件中用以控制通道开关的栅极数量,藉此改变感测主动元件的电压电流特性曲线,而让感应电极感测到感测主动元件被按压前后的开启或关闭电流差(感测电流)。换言之,触控元件可以整合与用以显示的显示面板中,而实现可整合触控与显示功能的薄型化触控显示面板。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A与图1B所示分别为本发明第一实施例中一种触控显示面板的上视示意图,而图2A所示为图1A中A处放大后的剖面示意图。
图2B所示为对图2A的触控显示面板按压后的剖面示意图。
图3所示为图2A与图2B的触控显示面板在被按压前后的电压电流的特性曲线图。
图4所示为本发明第一实施例中感测主动元件在触控前后的电压电流特性曲线的实测值。
图5A与图5B所示分别为本发明第一实施例中另一种触控显示面板的剖面示意图。
图6A所示为图1A中A处放大后的另一种剖面示意图,而图6B所示为对图6A的触控显示面板按压后的剖面示意图。
图7所示为图6A与图6B的触控显示面板在被按压前后的电压电流的特性曲线图。
图8所示为本发明第二实施例中感测主动元件在触控前后的电压电流特性曲线的实测值。
主要附图标记说明:
200、300:触控显示面板
210:第一基板
214:像素电极
220:第二基板
230:触控感测结构
232:触控间隙物
234:桥接电极
240:显示介质
250:彩色滤光层
260:共通电极
270:平坦层
C:通道
D:漏极、感应电极
E1:第一电极
E2:第二电极
G:栅极
G1:底栅极
G2:顶栅极
H:开口
I1:栅绝缘层
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司,未经联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210031828.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。