[发明专利]封装型扬声器阵列有效

专利信息
申请号: 201210031836.9 申请日: 2012-02-13
公开(公告)号: CN102638749A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 阿尔方斯·德赫 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H04R9/06 分类号: H04R9/06;H04R9/02;H04R31/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 封装 扬声器 阵列
【说明书】:

技术领域

根据本发明的一些实施方式涉及一种封装型扬声器阵列。根据本发明的一些实施方式涉及一种用于制造封装型扬声器阵列的方法。

背景技术

当今制造和使用的多数扬声器都遵循一种相对老旧的基本设计。扬声器的常规设计包括永久磁铁、位于由永久磁铁产生的磁场内的可动线圈以及粘附至可动线圈的膜。流过线圈的交流电流引起线圈在磁场内振动,由此交替地驱动膜,进而发出声音。该基本设计被用于大量的电动扬声器,其通常具有位于膜的后方(即,与声波从中传播至环境的膜的一侧相对的膜的另一侧)的相对较大的后部体积(behind volume)。电动扬声器的后部体积的尺寸通常与扬声器的预期频率范围相互关联,即,低频率范围的扬声器通常具有相对大的后部体积。

对电子部件和机电部件小型化的现行期望已引起了对微电子机械系统(MEMS)领域的广泛研究,该微电子机械系统是由电驱动的小型机械装置。一旦MEMS可以通过使用改进后的半导体器件制造技术(一般被用于制造电子器件)来制造,它们就会变得很实用。这些制造技术包括铸模和电镀、湿法蚀刻(KOH(氢氧化钾)、TMAH(四甲基氢氧化铵))和干法蚀刻(RIE(反应离子蚀刻)和DRIE(深反应离子蚀刻))、电火花加工(EDM)以及能够制造小型装置的其他技术。扬声器是微电子机械系统的一种潜在应用。为了获得足够高的声压级(SPL),通过MEMS技术制造的扬声器通常需要被排列为包括多个基本扬声器元件的阵列。

发明内容

根据本发明的一些实施方式提供了一种封装型扬声器阵列,该封装型扬声器阵列包括第一基板、第二基板以及盖体。第一基板具有形成在其中的多个扬声器元件。第二基板以倒装芯片方式被固定在第一基板的第一表面处,并且包括多个开口,多个开口与第一基板的多个扬声器元件中的扬声器元件对准。盖体被施加至第一基板的与第一表面相对的第二表面。

在根据本文公开教导的另一实施方式中,封装型扬声器阵列包括:第一基板,具有形成在其中的多个扬声器元件;第二基板,以倒装芯片方式固定在第一基板的第一表面处,而且包括多个开口,多个开口与第一基板的多个扬声器元件中的扬声器元件对准;以及盖体,包括深拉膜,其贴敷至第一基板的与第一表面相对的第二表面。

根据本文公开教导的一种用于制造封装型扬声器阵列的方法包括:设置具有多个扬声器元件的第一基板;设置包括对应于多个扬声器元件而配置的多个开口的第二基板;以倒装芯片的方式将第二基板固定至第一基板的第一表面,使得多个开口与(和)具有多个扬声器的第一基板的扬声器元件对准;以及将盖体施加至第一基板的与第一表面相对的第二表面来作为用于扬声器阵列的盖体。

附图说明

为了更全面地理解本发明及其优点,现结合附图来参考下文的描述,附图中:

图1示出了根据本文公开的教导的封装型扬声器阵列的透视图;

图2示出了穿过图1的封装型扬声器阵列的部分截面;

图3示出了根据本文公开的教导的封装型扬声器阵列的仰视图,即,该封装型扬声器阵列的第二基板的底面;

图4示出了根据本文公开的教导的实施方式的第二基板的俯视图;

图5示出了穿过根据本文公开教导的实施方式的第二基板的部分截面;

图6示出了穿过可被用在根据本文公开的教导的封装型扬声器阵列中的扬声器元件的示意性截面;

图7示出了穿过可被用在根据本文公开的教导的封装型扬声器阵列中的另一扬声器元件的示意性截面;

图8示出了穿过制造工艺的早期阶段中的扬声器元件的示意性截面;

图9示出了穿过图8所述的制造工艺的早期阶段中的扬声器元件的阵列的示意性截面;

图10示出了在制造工艺的倒装芯片步骤期间的扬声器元件的阵列的示意性截面;

图11示出了在制造工艺的图10所示的步骤之后的步骤中的扬声器元件的阵列的示意性截面;

图12示出了穿过在将第二基板固定至阵列之前的扬声器元件的阵列以及第二基板的示意性截面;

图13示出了制造工艺的焊接阶段之后的扬声器阵列;

图14示出了利用深拉膜(deep-drawn film)对扬声器阵列的封闭;

图15示出了深拉膜在边缘处的的结构;

图16示出了由根据本文公开的教导的制造工艺产生的封装型扬声器阵列;

图17示出了根据本文公开的教导的另一方面的封装型扬声器阵列,其中,盖体包括密封剂;

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