[发明专利]用于半导体制造设备的清洗设备以及使用其制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于半导体制造设备的清洗设备，包括：

氧化物移除装置，其设置为移除粘附于所述半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物，和

沉积物移除装置，其设置为在通过所述氧化物移除装置移除所述表面上的氧化物之后移除所述沉积物。

2.根据权利要求1所述的用于半导体制造设备的清洗设备，其中所述氧化物移除装置对所述氧化物实施等离子体蚀刻。

3.根据权利要求2所述的用于半导体制造设备的清洗设备，其中所述氧化物移除装置使所述氧化物暴露于用于所述等离子体蚀刻的惰性气体的等离子体。

4.根据权利要求1所述的用于半导体制造设备的清洗设备，其中所述沉积物移除装置对所述沉积物实施化学反应蚀刻。

5.根据权利要求4所述的用于半导体制造设备的清洗设备，其中所述沉积物移除装置使用氢气、氯气和氯化氢气体中的至少之一作为用于所述化学反应蚀刻的蚀刻气体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的用于半导体制造设备的清洗设备，其中将通过所述氧化物移除装置处理结束的所述构件在与环境气氛相隔离的条件下输送至所述沉积物移除装置。

7.根据权利要求1所述的用于半导体制造设备的清洗设备，其中所述沉积物包括氮化物半导体。

8.根据权利要求7所述的用于半导体制造设备的清洗设备，其中所述氮化物半导体包括GaN、AlGaN和AlN中的至少之一。

9.根据权利要求1所述的用于半导体制造设备的清洗设备，其中所述半导体制造设备的所述构件包括石英、碳化硅和碳中的至少之一。

10.一种用于清洗半导体制造设备的方法，包括：

移除粘附于所述半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；和

在移除所述氧化物之后移除所述沉积物。

11.根据权利要求10所述的用于清洗半导体制造设备的方法，其中在移除所述氧化物中对所述氧化物实施等离子体蚀刻。

12.根据权利要求11所述的用于清洗半导体制造设备的方法，其中使所述氧化物暴露于用于所述等离子体蚀刻的惰性气体的等离子体。

13.根据权利要求10所述的用于清洗半导体制造设备的方法，其中在移除所述沉积物中对所述沉积物实施化学反应蚀刻。

14.根据权利要求13所述的用于清洗半导体制造设备的方法，其中使用氢气、氯气和氯化氢气体中的至少之一作为用于所述化学反应蚀刻的蚀刻气体。

15.根据权利要求10～14中任一项所述的用于清洗半导体制造设备的方法，其中将移除了所述氧化物的所述构件在与环境气氛相隔离的条件下输送至用于移除所述沉积物的室。

16.根据权利要求10所述的用于清洗半导体制造设备的方法，其中所述沉积物包括氮化物半导体。

17.根据权利要求16所述的用于清洗半导体制造设备的方法，其中所述氮化物半导体包括GaN、AlGaN和AlN中的至少之一。

18.根据权利要求10所述的用于清洗半导体制造设备的方法，其中所述构件包括石英、碳化硅和碳中的至少之一。

19.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

使用半导体制造设备在衬底上形成氮化物半导体层；和

通过用于半导体制造设备的清洗设备清洗所述半导体制造设备的构件，其中所述清洗设备包括：

氧化物移除装置，其移除粘附于所述半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物，和

沉积物移除装置，其在通过所述氧化物移除装置移除所述表面上的所述氧化物之后移除所述沉积物。