[发明专利]铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法在审
申请号: | 201210032188.9 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN102560617A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 何超;龙西法;李修芝;王祖建;刘颖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B9/00 | 分类号: | C30B9/00;C30B29/32;C30B29/30 |
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地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁电单晶铌铟酸铅 钛酸铅 制备 方法 | ||
1.一种铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法,采用顶部籽晶法,包括如下步骤:
a)将初始原料PbO或Pb3O4、TiO2、In2O3、Nb2O5按晶体的化学式(1-x)PIN-xPT进行配比,其中PIN代表Pb(In1/2Nb1/2)O3,PT代表PbTiO3,x为0.20~0.45;
b)助溶剂采用PbO或Pb3O4和H3BO3或B2O3复合助溶剂,PIN-PT与助溶剂的摩尔比为1∶1~10;
c)将晶体原料和助溶剂在容器中混合研磨;
d)将混合均匀的粉料装入铂金坩埚中,并把铂金坩埚置于晶体生长炉中化料;
e)在晶体生长过程中将原料加热至熔融状态,恒温一定时间;然后用PIN-PT籽晶找到过饱和温度,在过饱和温度引入籽晶生长,生长过程中旋转籽晶,适当降温,并根据生长晶体的快慢调节降温速率。当生长晶体满足要求时,从熔体中提起晶体,降温退火,在室温取出晶体。
2.根据权利要求1所述的铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法,其特征在于生长炉为垂直管式炉或箱式炉,加热原件为电阻丝、硅碳棒或硅钼棒。
3.根据权利要求1所述的铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法,其特征在于:晶体生长时的籽晶生长方向为(001)或(110)或(111)方向。
4.根据权利要求1所述的铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法,其特征在于:化料和生长过程温度控制在850-1200℃。
5.根据权利要求1所述的铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法,其特征在于:所用的坩埚为铂金坩埚。
6.根据权利要求1所述的铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法,特征在于:该材料的化学组成为0.655PIN-0.345PT。
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