[发明专利]衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210032364.9 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102543800A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 境正宪;水野谦和;佐佐木伸也;山崎裕久 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 半导体 制造 | ||
1.一种衬底处理装置，具有：
反应管，形成以层合的状态收纳多个衬底的处理室；
向所述处理室内供给原料气体的第一气体供给装置；
向所述处理室内供给氧化气体的第二气体供给装置；
与所述处理室的下部连通，排出所述处理室内的环境气体的排出装置；以及
对所述第一气体供给装置、所述第二气体供给装置以及所述排出装置进行控制的控制部，
所述第一气体供给装置具有第一喷嘴，所述第一喷嘴沿着多个所述衬底的层合方向从所述反应管的下部延伸到所述反应管的顶端附近，且在其前端部具有向所述处理室内导入所述原料气体的第一导入口，
所述第二气体供给装置具有第二喷嘴，所述第二喷嘴沿着多个所述衬底的层合方向从所述反应管的下部延伸到所述反应管的顶端附近，且具有向多个所述衬底之间开口并向所述处理室内导入所述氧化气体的多个第二导入口，
所述控制部控制所述第一气体供给装置、所述第二气体供给装置以及所述排出装置，以便以相互不混合的方式向所述处理室交替地供给所述原料气体和所述氧化气体，从而在所述衬底上生成所需要的膜。
2.一种衬底处理方法，其特征在于，
具有如下工序：
在多个衬底层合地被收纳的处理室内，从设在沿多个所述衬底的层合方向立设的第一喷嘴的前端部上的第一气体导入口向避开衬底的方向导入原料气体的工序；
对残留在所述处理室内的原料气体进行排气的工序；
在所述处理室内，从设在沿多个所述衬底的层合方向立设的第二喷嘴上的多个第二气体导入口向朝向多个所述衬底的方向导入氧化气体的工序；
对残留在所述处理室内的氧化气体进行排气的工序，
通过反复进行各工序，在所述衬底上形成所需要的膜。
3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有如下工序：
在将多个衬底层合地收纳的处理室内，从设在沿多个所述衬底的层合方向立设的第一喷嘴的前端部上的第一气体导入口向避开衬底的方向导入原料气体的工序；
对残留在所述处理室内的原料气体进行排气的工序；
在所述处理室内，从设在沿多个所述衬底的层合方向立设的第二喷嘴上的多个第二气体导入口向朝向多个所述衬底的方向导入氧化气体的工序；
对残留在所述处理室内的氧化气体进行排气的工序，
通过反复进行各工序，在所述衬底上形成所需要的膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
