[发明专利]一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器

权利要求书

1.一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器，其特征在于，它包括激光器波导（11），分别位于其两端的第一深刻蚀反射面（21）、第二深刻蚀反射面（22），和分布于其间的深刻蚀槽阵列（31）等，所述深刻蚀槽阵列（31）由2-6个深刻蚀槽组成；所述激光器制作在半导体外延片上，从下往上分别包括下包层（4），量子阱层（5）和上包层（6）以及以上所述各层之间的一些辅助层（7）；所述深刻蚀槽阵列（31）中的所有深刻蚀槽、第一深刻蚀反射面（21）和第二深刻蚀反射面（22）的刻蚀深度超过量子阱层（5），上包层（6）上覆盖有电极（115）。

2.根据权利要求1所述的基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器，其特征在于，所述第一深刻蚀反射面（21）与相邻的第一深刻蚀槽（301）中心之间的光程、第二深刻蚀反射面（22）与相邻的第二深刻蚀槽（302）中心之间的光程以及所述深刻蚀槽阵列（31）中的任意相邻两个深刻蚀槽中心之间的光程为四分之一激光器中心波长的整数倍，并且其中至少有一段为四分之一激光器中心波长的偶数倍。

3.根据权利要求1所述的基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器，其特征在于；所述激光器波导（11）被深刻蚀槽阵列（31）和第一深刻蚀反射面（21）、第二深刻蚀反射面（22）分割成数段独立的波导（110），每段波导（110）上覆盖有电极（115），电极（115）上分别注入电流实现对激光器波长和功率的控制。