[发明专利]用于原子层沉积的涡流室盖

权利要求书

1.一种用于原子层沉积的腔室，所述腔室包括：

衬底支撑件，所述衬底支撑件包括衬底承接面；以及

室盖组件，所述室盖组件包括：

扩大通道，沿着中心轴延伸并位于所述室盖组件的中间部分；

锥形底面，从所述扩大通道延伸至所述室盖组件的周围部分，其中所述锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住所述衬底承接面；

第一导管，耦接至第一气体通路，其中所述第一气体通路环绕所述扩大通道且包括延伸入所述扩大通道的多个第一入口；以及

第二导管，耦接至第二气体通路，其中所述第二气体通路环绕所述扩大通道且包括延伸入所述扩大通道的多个第二入口，并且所述多个第一入口和所述多个第二入口设置以提供遍及所述扩大通道的环形气流图案。

2.如权利要求1所述的腔室，其中所述第一气体通路设置在所述第二气体通路的正上方。

3.如权利要求1所述的腔室，其中所述多个第一入口和所述多个第二入口独立地设置以引导所述扩大通道的内面处的气体。

4.如权利要求3所述的腔室，其中所述环形气流图案包括一流动图案，所述流动图案选自由涡流、螺旋、盘旋、卷曲、扭曲、卷绕、漩涡和它们的衍生图案所组成的组。

5.如权利要求4所述的腔室，其中所述环形气流图案围绕着所述扩大通道的所述中心轴扩展至少1.5圈。

6.如权利要求5所述的腔室，其中所述环形气流图案围绕着所述扩大通道的所述中心轴扩展至少4圈。

7.如权利要求1所述的腔室，其中第一阀耦接至所述第一导管而第二阀耦接至所述第二导管，并且第一气体源与所述第一阀流体连通而第二气体源与所述第二阀流体连通。

8.如权利要求7所述的腔室，其中第一阀和第二阀的每一个都独立地使原子层沉积工艺的脉冲时间为2秒或更短。

9.如权利要求8所述的腔室，其中所述脉冲时间为0.05秒至0.5秒。

10.如权利要求1所述的腔室，还包括体积为3000cm³或更小的反应区，其中所述反应区位于锥形底面与衬底承接面之间。

11.如权利要求10所述的腔室，其中所述体积为1500cm³或更小。

12.如权利要求11所述的腔室，其中所述体积为600cm³或更小。

13.一种用于原子层沉积的腔室，所述腔室包括：

衬底支撑件，所述衬底支撑件包括衬底承接面；以及

室盖组件，所述室盖组件包括：

扩大通道，沿着中心轴延伸并位于所述室盖组件的中间部分；

第一导管，耦接至第一气体通路，其中所述第一气体通路环绕所述扩大通道且包括延伸入所述扩大通道的多个第一入口；以及

第二导管，耦接至第二气体通路，其中所述第二气体通路环绕所述扩大通道且包括延伸入所述扩大通道的多个第二入口，所述第一气体通路设置在所述第二气体通路的正上方，并且所述多个第一入口和所述多个第二入口设置为提供遍及所述扩大通道的环形气流图案；以及

耦接至所述第一导管的第一阀，和耦接至所述第二导管的第二阀，其中所述第一阀和所述第二阀的每一个都独立地使得原子层沉积工艺的脉冲时间为2秒或更短。

14.如权利要求13所述的腔室，其中所述脉冲时间为0.05秒至0.5秒。

15.如权利要求13所述的腔室，其中所述室盖组件还包括锥形底面，所述锥形底面从所述扩大通道延伸至所述室盖组件的周围部分，所述锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住所述衬底承接面。

16.如权利要求15所述的腔室，还包括体积为3000cm³或更小的反应区，其中所述反应区位于锥形底面与衬底承接面之间。

17.如权利要求13所述的腔室，其中第一气体源与所述第一阀流体连通而第二气体源与所述第二阀流体连通。

18.如权利要求13所述的腔室，其中所述多个第一入口和所述多个第二入口独立地设置以引导所述扩大通道的内面处的气体。