[发明专利]在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法

权利要求书

1.一种在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，包括如下步骤在于：

步骤1：将自然氧化的衬底放在分子束外延设备样品架上，将衬底升温；

步骤2：当衬底升至预定温度后，再将衬底温度降温；

步骤3：待衬底温度稳定后，打开In挡板，在衬底上沉积In层；

步骤4：关闭In挡板，弛豫一段时间，使沉积的In层在衬底上不均匀的氧化层开口处形成In液滴；

步骤5：然后同时打开In和As挡板，在沉积的In层上生长InAs纳米线；

步骤6：生长结束后，先关In挡板，再对衬底降温，待衬底温度降至450℃以下再关As挡板，完成InAs纳米线的制备。

2.如权利要求1所述的在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，其中所述的衬底的材料为Si。

3.如权利要求1所述的在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，其中衬底升温的温度为500-800℃，再除气5-30分钟。

4.如权利要求1所述的在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，其中在衬底上沉积In层的温度为400℃到600℃。

5.如权利要求4所述的在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，其中控制In的沉积量使其不至于覆盖整个衬底表面。。

6.如权利要求1所述的在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，其中生长InAs纳米线时As和In的束流比为10到120。

7.如权利要求1所述的在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，其中生长结束后，对衬底降温的温度为450℃以下，再关As挡板。