[发明专利]包括电容器和金属接触的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

在单元区和外围区中形成第一模层；

形成穿透所述单元区中的第一模层的第一存储节点和穿透所述外围区中的第一模层的第一接触；

在所述第一模层上形成第二模层；

形成穿透所述第二模层以连接至所述第一存储节点的相应存储节点的第二存储节点；

除去所述单元区和所述外围区中的第二模层以及所述单元区中的第一模层，以留下所述外围区中的第一模层；以及

形成穿透第一层间绝缘层以连接至所述第一接触的第二接触。

2.如权利要求1的方法，还包括：

在所述第一模层和半导体衬底之间形成第二层间绝缘层；

在所述单元区中的所述第二层间绝缘层中形成位线；

形成穿透所述第二层间绝缘层以把所述第一存储节点连接至所述半导体衬底的存储节点接触；以及

形成穿透所述外围区中的第二层间绝缘层以连接至所述第一接触的第三接触。

3.如权利要求2的方法，还包括在所述第一模层和所述第二层间绝缘层之间形成蚀刻停止层。

4.如权利要求1的方法，还包括形成穿透所述单元区和所述外围区之间的第一模层以使所述单元区中的第一模层与所述外围区中的第一模层分离的阻障壁。

5.如权利要求4的方法，其中所述阻障壁、所述第一存储节点和所述第一接触同时地由相同材料形成。

6.如权利要求4的方法，其中形成所述阻障壁、所述第一存储节点和所述第一接触包括：

形成穿透所述单元区中的第一模层的第一通孔、穿透所述外围区中的第一模层的第一接触孔和穿透在所述单元区和所述外围区之间的第一模层以围绕所述单元区中的第一模层的第一沟槽；

形成第一导电层，以填充所述第一通孔、所述第一接触孔和所述第一沟槽；以及

平坦化所述第一导电层，以露出所述第一模层。

7.如权利要求6的方法，其中所述第一导电层被形成为包括钛(Ti)层、钽(Ta)层、钨(W)层、钌(Ru)层或其化合物材料。

8.如权利要求6的方法，其中采用回蚀刻工艺或者化学机械抛光工艺来执行平坦化所述第一导电层。

9.如权利要求1的方法，还包括在形成所述第二模层之前，形成覆盖所述外围区中的第一模层和第一接触且露出所述单元区中的第一模层和第一存储节点的阻障层。

10.如权利要求9的方法，其中形成所述阻障层包括：

在所述第一模层上形成氮化硅层；以及

采用蚀刻工艺来选择性除去所述单元区中的氮化硅层。

11.如权利要求1的方法，还包括在所述第二模层上形成浮置支持层以支持所述第二存储节点。

12.如权利要求11的方法，其中所述浮置支持层由氮化硅层形成，该方法还包括在所述浮置支持层上形成帽层，

其中所述帽层由氧化硅层形成。

13.如权利要求12的方法，其中形成所述第二存储节点包括：

形成穿透所述帽层、所述浮置支持层和所述第二模层的第二通孔，以露出所述第一存储节点；

形成第二导电层，以填充所述第二通孔；

平坦化所述第二导电层，以露出所述帽层并形成所述第二存储节点；以及

构图所述帽层和所述浮置支持层，以形成露出所述单元区中的所述第二模层的部分的开口。

14.如权利要求13的方法，其中除去所述单元区和所述外围区中的第二模层以及所述单元区中的第一模层包括：经由所述开口供给包括氢氟酸的湿法蚀刻剂至所述第二模层。

15.如权利要求1的方法，其中形成所述第二接触包括：

形成穿透所述第二层间绝缘层的第二接触孔，以露出所述第一接触；以及

形成第三导电层，以填充所述第二接触孔。