[发明专利]沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽肖特基势垒二极管形成于一第一导电型基板中，其特征在于，包含：

一第二导电型外延层，形成于该基板上；

多个平台，由该外延层一上表面向下蚀刻多个沟槽所定义，且该多个平台共同连接于该外延层；

一场极板，形成于该外延层上，并填充于该多个沟槽中，其中，该场极板与该多个平台的侧壁与底部间，由一介电层隔开，而该场极板与该多个平台的顶部间，形成肖特基接触；

一终止区，形成于该多个平台的一边缘外侧的该外延层上表面下，与该场极板电连接，且该终止区与该边缘及该外延层间，由该介电层隔开；

一场绝缘层，形成于该外延层上表面上，位于该终止区外侧；以及

至少一缓和极板，形成于该终止区外侧的该外延层上表面下，并穿越过该场绝缘层与该场极板电连接，且该缓和极板与该终止区之间，由该介电层与部分该外延层隔开。

2.如权利要求1所述的沟槽肖特基势垒二极管，其中，该第一导电型为P型，且第二导电型为N型。

3.如权利要求2所述的槽肖特基势垒二极管，其中，该场极板包括：

一具有P型杂质掺杂的多晶硅层，填充于该外延层上表面下的该多个沟槽中；

一肖特基势垒金属层，形成于该外延层上表面上，与该多晶硅层电连接，并与该多个平台的顶部形成肖特基接触；以及

一金属层，形成于该肖特基势垒金属层上，并与该肖特基势垒金属层电连接。

4.如权利要求1所述的沟槽肖特基势垒二极管，其中，该场极板包括：

一肖特基势垒金属层，填充于该多个沟槽中与该多个平台顶部上，并与该多个平台顶部形成肖特基接触；以及

一金属层，形成于该肖特基势垒金属层上，并与该肖特基势垒金属层电连接。

5.一种沟槽肖特基势垒二极管制造方法，其特征在于，包含：

提供一第一导电型基板；

形成一第二导电型外延层于该基板上；

由该外延层一上表面向下蚀刻，形成多个沟槽，以定义多个平台，其中该多个平台共同连接于该外延层；

以导电材料填充于该多个沟槽中以及该外延层上，以形成一场极板，其中，该场极板与该多个平台的侧壁与底部间，由一介电层隔开，而该场极板与该多个平台的顶部间，形成肖特基接触；

形成一终止区于该多个平台的一边缘外侧的该外延层上表面下，与该场极板电连接，且该终止区与该边缘及该外延层间，由该介电层隔开；

于该终止区外侧形成一场绝缘层于该外延层上表面上；以及

于该终止区外侧的该外延层上表面下形成至少一缓和极板，穿越过该场绝缘层与该场极板电连接，且该缓和极板与该终止区之间，由该介电层与部分该外延层隔开。

6.如权利要求5所述的沟槽肖特基势垒二极管制造方法，其中，该第一导电型为P型，且第二导电型为N型。

7.如权利要求6所述的沟槽肖特基势垒二极管制造方法，其中，形成该场极板的步骤包括：

填充一具有P型杂质掺杂的多晶硅层于该外延层上表面下的该多个沟槽中；

形成一肖特基势垒金属层于该外延层上表面上，与该多晶硅层电连接，并与该多个平台的顶部形成肖特基接触；以及

形成一金属层于该肖特基势垒金属层上，并与该肖特基势垒金属层电连接。

8.如权利要求5所述的沟槽肖特基势垒二极管制造方法，其中，形成该场极板的步骤包括：

填充一肖特基势垒金属层于该多个沟槽中与该多个平台顶部上，并与该多个平台顶部形成肖特基接触；以及

形成一金属层于该肖特基势垒金属层上，并与该肖特基势垒金属层电连接。

9.如权利要求7所述的沟槽肖特基势垒二极管制造方法，其中，还包含：

形成该介电层于该外延层上表面上、该多个平台侧壁、该多个平台底部、与该多个平台顶部上；以及

将该外延层上表面上与该多个平台顶部上的该介电层移除。

10.如权利要求8所述的沟槽肖特基势垒二极管制造方法，其中，还包含：

形成该介电层于该外延层上表面上、该多个平台侧壁、该多个平台底部、与该多个平台顶部上；以及

将该外延层上表面上与该多个平台顶部上的该介电层移除。