[发明专利]射频半集成应用装置

说明书

技术领域

本发明为移动通信技术领域，具体涉及一种射频半集成应用装置。

背景技术

随着数字与射频一体化直放站设备小型化技术的发展，直放站设备集成小型化技术的需求凸显。直放站设备集成小型化具有小体积、低功耗、低成本的优势。然而，直放站设备集成小型化也具有弊端，如集成所带来的电磁兼容的技术应用风险。因此，如何合理应用由分立器件与集成器件组成的半集成装置是解决直放站设备集成小型化的关键之一。

请参阅图1，其是现有技术的一种射频半集成应用装置，其包括一基板1，射频处理单元2和数字处理单元3同时设置在该基板1上。其中，该射频处理单元2和数字处理单元3对应的混合板具有相同的金属层结构。该射频半集成应用装置在运行时，容易出现如该数字处理单元3内的时钟高次谐波杂散容易传导到该射频处理单元2等的问题，从而使该射频半集成应用装置的抗电磁传导能力较弱，同时使其射频性能的一致性较差。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种射频性能一致性较好的射频半集成应用装置。

本发明是通过以下技术方案实现的：一种射频半集成应用装置，包括基板。该基板从上至下依序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层；且该基板分为相邻的数字区和射频区，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述数字区；所述第一金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述射频区；相邻金属层之间通过介质层相互绝缘。

进一步，该射频半集成应用装置包括设置在射频区并依序电连接的射频输入单元、低噪放单元、射频滤波器、可变增益放大器、集成变频器件、中频放大管、抗混叠滤波器，以及设置在数字区并与该抗混叠滤波器电连接的数字处理单元。

进一步，该射频半集成应用装置还包括与该集成变频器件电连接的纹波抑制电路。该纹波抑制电路包括低压差线性稳压器和三端电容，该低压差线性稳压器和三端电容之间、及该三端电容与集成变频器件之间通过供电线连接。

进一步，该射频半集成应用装置还包括与该集成变频器件电连接的参考源电路。

进一步，该集成变频器件集成了混频器和锁相源，该参考源电路为锁相源提供参考时钟，进而输出本振信号给混频器，通过该混频器输出中频信号至该中频放大管。

进一步，该可变增益放大器集成了可变衰减器和射频放大管，信号依序通过该可变衰减器和射频放大管处理后输出至该集成变频器件。

相对于现有技术，本发明提供的射频半集成应用装置在基板上分别设置了不同层次结构的射频区和数字区，改善了射频半集成应用装置的电磁兼容性能，并使该射频区的散热能力得到提升。

附图说明

图1是现有技术的一种射频半集成应用装置平面结构示意图。

图2是本发明的射频半集成应用装置的平面结构示意图。

图3是本发明射频半集成应用装置的剖面示意图。

图4是本发明射频半集成应用装置的电路方框图。

图5是图4所示纹波抑制电路的电路方框示意图。

具体实施方式

请参阅图2，其是本发明的射频半集成应用装置的平面结构示意图。该射频半集成应用装置包括一基板10，该基板10划分为数字区12和射频区14。请同时参阅图3，其是图2所示的射频半集成应用装置的剖面示意图。该基板从上至下依序包括第一金属层L1、第二金属层L2、第三金属层L3、第四金属层L4、第五金属层L5、第六金属层L6、第七金属层L7和第八金属层L8。其中，该第一金属层L1、第二金属层L2、第三金属层L3、第四金属层L4、第五金属层L5、第六金属层L6、第七金属层L7和第八金属层L8覆盖所述数字区12，相邻金属层之间通过介质层相互绝缘。该第一金属层L1、第四金属层L4、第五金属层L5、第六金属层L6、第七金属层L7和第八金属层L8覆盖所述射频区，相邻金属层之间通过介质层相互绝缘，尤其是该第一金属层L1和第四金属层L4在该射频区通过介质层相互绝缘。