[发明专利]具有分开的吸收和倍增区域的锗/硅雪崩光电检测器

权利要求书

1.一种用于光学设备的装置，包括：

包括紧邻第二类型半导体材料的第一类型半导体材料的吸收区；

倍增区，所述倍增区包括其中电场倍增在所述吸收区中产生的电子的区域；以及

将所述吸收区与所述倍增区分离的部分分离区。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述吸收区吸收在所述吸收区相对所述倍增区一侧上入射的光并且其中所述电子是响应于吸收所述光而在所述吸收区中光电产生的。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一类型半导体材料包括第一硅层，而所述第二类型半导体材料包括锗层。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一硅层包括第一本征硅层，而所述锗层包括本征锗层。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述倍增区包括第二本征硅层。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

衬底，所述吸收区、倍增区和部分分离区沉积在所述衬底上，其中所述倍增区沉积在所述衬底和所述吸收区之间。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：

沉积在所述衬底和所述倍增区之间的埋置氧化物层。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述衬底包括硅衬底。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述部分分离区包括p型硅层。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：

在所述埋置氧化物层和所述倍增区之间沉积的n型硅层。

11.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括：

在所述埋置氧化物层和所述光所入射的吸收区顶表面之间沉积的谐振腔，其中所述埋置氧化物层用作反射层。

12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括在所述第一类型半导体材料的第一部分中沉积的掺杂触点。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，还包括与所述第一类型半导体材料的第二部分一起沉积并至少部分围绕所述掺杂触点的掺杂护圈。

14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述掺杂触点和所述掺杂护圈包括p型掺杂硅。

15.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述光学设备包括光电检测器。