[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201210034408.1 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102647075A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 泷本和靖;饼川宏;中泽洋介;葛卷淳彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M7/5387 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体电路;和
电源;
上述半导体电路具备:
主元件,具有电压驱动型的开关元件及与上述开关元件反向并联连接的反向并联二极管;
反向电压施加电路,该反向电压施加电路具有高速回流二极管、电容器和辅助元件,该高速回流二极管的反向恢复时间比上述反向并联二极管短、反向恢复电荷比上述反向并联二极管小,该辅助元件连接在上述电容器及高速回流二极管间、在上述反向并联二极管的反向恢复时开启、耐受电压比上述主元件低,上述反向电压施加电路对上述反向并联二极管施加比上述主元件的耐受电压小的反向电压;
主元件驱动电路,对上述主元件赋予控制信号;和
辅助元件驱动电路,对上述辅助元件赋予控制信号,
上述电源与上述电容器并联连接,并与上述主元件驱动电路及辅助元件驱动电路连接,对上述电容器、主元件驱动电路及辅助元件驱动电路供给电力,电压值比上述主元件的耐受电压低。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述电源经由上述主元件驱动电路与上述辅助元件驱动电路连接并对其供给电力;
上述辅助元件驱动电路具有脉冲变压器,与上述主元件驱动电路绝缘而对上述辅助元件赋予上述控制信号。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
还具备将上述电容器的两极间的电压、主元件驱动电路的驱动电压及辅助元件驱动电路的驱动电压的至少1个电压保持为一定的调节器。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
还具备安装有上述主元件驱动电路及辅助元件驱动电路的基板。
5.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述电源具有:
电力供给源;和
绝缘变压器,具有连接在上述电力供给源上的一次侧电路及连接在上述半导体电路上的二次侧电路,上述绝缘变压器将上述一次侧电路及二次侧电路绝缘。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
还具备与上述半导体电路同样构成的至少1个以上的其他的半导体电路;
上述电源具备至少1个以上的其他的绝缘变压器,该至少1个以上的其他的绝缘变压器具有都连接在上述电力供给源上的至少1个以上的其他的一次侧电路、及一对一地连接在上述至少一个以上的其他的半导体电路上的至少1个以上的其他的二次侧电路,上述至少1个以上的其他的绝缘变压器将分别一对一地对应的各其他的一次侧电路及各其他的二次侧电路绝缘。
7.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
还具备与上述半导体电路同样构成的至少1个以上的其他的半导体电路;
上述绝缘变压器具有一对一地连接在上述至少1个以上的其他的半导体电路上的至少1个以上的其他的二次侧电路,上述绝缘变压器将上述一次侧电路、以及二次侧电路及至少1个以上的其他的二次侧电路绝缘。
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