[发明专利]半导体装置、用于制造半导体装置的方法以及电子器件

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括第一电极的半导体器件；

包括第二电极和凹部的衬底；和

散热粘合材料，所述散热粘合材料将所述半导体器件固定在所述凹部中，以将所述第一电极布置为靠近所述第二电极，

其中所述第一电极耦接到所述第二电极，并且所述散热粘合材料覆盖所述半导体器件的侧表面的至少一部分和底表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体器件外周的设置有所述第一电极的第一部分和所述凹部外周的设置有所述第二电极的第二部分以第一距离彼此面对；

所述半导体器件外周的没有设置所述第一电极的第三部分与所述凹部外周的没有设置所述第二电极的第四部分以大于所述第一距离的第二距离彼此面对；并且

所述散热粘合材料覆盖所述第二部分中所述半导体器件的所述侧表面的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述散热粘合材料包括金属材料。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述金属材料的覆盖所述半导体器件的所述侧表面的至少一部分的部分具有凸表面。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述半导体器件包括从所述底表面延伸到所述侧表面的被所述金属材料覆盖的部分的金属膜。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述金属材料包括选自锡、铅、银、铟、铋、锌、锑和铜中的至少一种材料。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

设置在所述凹部的底表面上的散热金属。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体器件包括化合物半导体器件。

9.一种用于制造半导体装置的方法，包括：

提供包括第一电极的半导体器件；

在包括第二电极的衬底上形成凹部；

将所述半导体器件设置在所述凹部中，使得所述第一电极靠近所述第二电极；

用散热粘合材料从所述半导体器件的底表面到侧表面的至少一部分覆盖所述半导体器件；以及

将所述第一电极耦接到所述第二电极。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

使所述半导体器件外周的设置有所述第一电极的第一部分与所述凹部外周的设置有所述第二电极的第二部分以第一距离彼此面对；

使所述半导体器件外周的没有设置所述第一电极的第三部分与所述凹部外周的没有设置所述第二电极的第四部分以大于所述第一距离的第二距离彼此面对；以及

用所述散热粘合材料覆盖所述第二部分中所述半导体器件的所述侧表面的至少一部分和所述半导体器件的所述底表面。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述凹部中待固定所述半导体器件的位置处设置仿真器件；

供给所述散热粘合材料；

移除所述仿真器件以限定待固定在所述散热粘合材料中的所述半导体器件的位置；以及

将所述半导体器件接合在所述位置。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述散热粘合材料包括金属材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属材料的覆盖所述半导体器件的所述侧表面的至少一部分的部分具有凸表面。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述半导体器件上从所述底表面到所述侧表面的覆盖有所述金属材料的部分形成金属膜；以及

用所述金属材料将所述半导体器件固定在所述凹部中。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属材料包括选自锡、铅、银、铟、铋、锌、锑和铜中的至少一种材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述半导体器件包括化合物半导体器件。

17.根据权利要求15所述的方法，还包括：

通过切割在所述半导体衬底的背表面上形成具有深度的沟槽；

在所述半导体衬底的背表面上形成金属膜以覆盖所述沟槽的内表面；以及

从所述半导体衬底分割出所述半导体器件。