[发明专利]感光设备、驱动感光设备的方法以及光触摸屏设备有效
申请号: | 201210034691.8 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN102903723B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 金暎;宋利宪;田尚勋;安承彦;高俊哲;李哲坤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06F3/042 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 韩明星,王艳娇 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 设备 驱动 方法 以及 触摸屏 | ||
1.一种感光设备,包括:
感光像素阵列,具有按照行列布置的多个感光像素;
多条栅极线,沿着行方向被布置并将栅极电压分别提供给感光像素,
其中,每个感光像素包括用于感测光的光传感器晶体管和用于输出来自光传感器晶体管的感光信号的开关晶体管,
布置在任意行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极连接到布置在所述任意行之前或之后的行中的栅极线,
其中,布置在任意行中的感光像素的开关晶体管的栅极连接到与所述任意行对应的栅极线,
其中,当高电压被提供给布置在任意行中的感光像素的开关晶体管的栅极时,低电压被提供给布置在其余行中的感光像素的开关晶体管的栅极,随后高电压被提供给布置在所述任意行之后的行中的感光像素的开关晶体管的栅极,并且低电压被提供给布置在其余行中的感光像素的开关晶体管的栅极,
其中,当高电压正被施加到布置在所述任意行之前或之后的行中的感光像素的开关晶体管的栅极时,布置在所述任意行中的光传感器晶体管被复位。
2.如权利要求1所述的感光设备,其中,每条栅极线连接到布置在相同行中的感光像素。
3.如权利要求1所述的感光设备,其中,开关晶体管和光传感器晶体管串联。
4.如权利要求1所述的感光设备,其中,布置在任意行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极连接到布置在紧接在所述任意行之后的一行中的栅极线。
5.如权利要求1所述的感光设备,其中,布置在任意行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极连接到布置在所述任意行的两行或更多行之后的行中的栅极线。
6.如权利要求1所述的感光设备,还包括:
栅极驱动器,将栅极电压顺序提供给所述多条栅极线;
信号输出单元,包括沿着列方向布置的多条数据线,所述信号输出单元从感光像素接收感光信号,并输出数据信号。
7.如权利要求6所述的感光设备,其中,每条数据线连接到布置在相同列中的感光像素,
与任意列对应的数据线连接到布置在所述任意列中的感光像素的开关晶体管的源极。
8.如权利要求6所述的感光设备,其中,栅极驱动器包括栅极线和至少一条哑栅极线,所述栅极线的数量与感光像素阵列的像素行的数量相同,所述至少一条哑栅极线仅连接到布置在先前的行或后面的行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极。
9.如权利要求8所述的感光设备,其中,至少布置在感光像素阵列中的最后一行或第一行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极连接到哑栅极线。
10.如权利要求1所述的感光设备,其中,光传感器晶体管是氧化物半导体晶体管,其沟道层由氧化物半导体形成。
11.一种光触摸屏设备,包括:
像素阵列,具有按照行列布置的多个显示像素和多个感光像素;
多条栅极线,沿着行方向被布置并将栅极电压分别提供给显示像素和感光像素,
其中每个显示像素包括显示单元和用于导通或关断显示单元的第一开关晶体管,
每个感光像素包括用于感测光的光传感器晶体管和用于输出来自光传感器晶体管的感光信号的第二开关晶体管,
布置在任意行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极连接到布置在所述任意行之前或之后的行中的栅极线,
其中,布置在任意行中的显示像素的第一开关晶体管的栅极和感光像素的第二开关晶体管的栅极连接到与所述任意行对应的栅极线,
其中,当高电压被提供给布置在任意行中的感光像素的开关晶体管的栅极时,低电压被提供给布置在其余行中的感光像素的开关晶体管的栅极,随后高电压被提供给布置在所述任意行之后的行中的感光像素的开关晶体管的栅极,并且低电压被提供给布置在其余行中的感光像素的开关晶体管的栅极,
其中,当高电压正被施加到布置在所述任意行之前或之后的行中的感光像素的开关晶体管的栅极时,布置在所述任意行中的光传感器晶体管被复位。
12.如权利要求11所述的光触摸屏设备,还包括:
栅极驱动器,将栅极电压顺序提供给所述多条栅极线;
信号输出单元,包括沿着列方向布置的多条数据线,所述信号输出单元从感光像素接收感光信号,并输出数据信号;
数据驱动器,包括沿着列方向布置的多条图像数据线,并将图像信号提供给显示像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的