[发明专利]用于空腔共振器的馈送结构无效
申请号: | 201210034717.9 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN102683785A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 崔俊允;斯特凡·科赫;托马斯·梅尔克 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01P5/00 | 分类号: | H01P5/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 空腔 共振器 馈送 结构 | ||
1.一种用于将馈送线(24)耦合到空腔(14)的馈送结构(200),所述馈送结构(200)包括:
承载衬底(12),
形成在所述承载衬底中的空腔(14)的顶部导体平板(18),
馈送线衬底(22),其覆盖所述顶部导体平板(18),
馈送线(24)的信号导体(25),所述信号导体(25)与所述顶部导体平板(18)相对形成在所述馈送线衬底(22)中或者上,
通路探头(28’),其连接到所述信号导体(25),并引导通过所述馈送线衬底(22)和所述顶部导体平板(18)到所述空腔(14)中,
环形开孔(30),其围绕所述通路探头(28’)形成在所述顶部导体平板(18)中,以及
至少一个槽形开孔(44a、44b),其形成在所述顶部导体平板(18)中,在所述环形开孔(30)处开始,并引导远离所述通路探头(28’)。
2.根据权利要求1所述的馈送结构,
包括两个槽形开孔(44a、44b),其形成在所述顶部导体平板中,在所述环形开孔处开始,并在不同的方向上,尤其是在相反的方向上引导远离所述通路探头。
3.根据权利要求1或2所述的馈送结构,
其中,所述至少一个槽形开孔(44a、44b)布置在与能量传播(38)的方向垂直的方向上。
4.根据前述权利要求中任意一项所述的馈送结构,
其中,所述至少一个槽形开孔(44a、44b)仅仅形成在所述顶部导体平板内,并不延伸超过所述顶部导体平板的边缘直到所述空腔(14)的侧壁导体平板(20)。
5.根据前述权利要求中任意一项所述的馈送结构,
其中,所述通路探头(28’)引导通过所述空腔(14),并连接到所述空腔(14)的底部导体层(16)。
6.根据前述权利要求中任意一项所述的馈送结构,
其中,所述通路探头(28’)形成在所述信号导体(25)的端部处。
7.根据前述权利要求中任意一项所述的馈送结构,
其中,所述通路探头(28’)形成为具有环形横截面的管子。
8.根据前述权利要求中任意一项所述的馈送结构,
其中,所述通路探头(28’)布置在与所述馈送线(24)的所述信号导体(25)垂直的方向上。
9.根据前述权利要求中任意一项所述的馈送结构,
其中,所述顶部导体平板(18)至少在所述信号导体(25)的下方延伸超过所述空腔(14)。
10.一种微波装置,包括:
馈送线(24),
空腔(14),以及
根据将所述馈送线(24)耦合到所述空腔(14)的前述权利要求所述的馈送结构(200)。
11.根据权利要求10所述的微波装置,
其中,所述空腔(14)包括覆盖所述空腔(14)的壁的底部导体平板(16)、顶部导体平板(18)和侧壁导体平板(20)。
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