[发明专利]成像元件及其制造方法、像素设计方法和电子设备有效
申请号: | 201210035073.5 | 申请日: | 2012-02-16 |
公开(公告)号: | CN102646689A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 久保井信行 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 元件 及其 制造 方法 像素 设计 电子设备 | ||
1.一种成像元件,包括:
多个像素,配置为二维排列,并且每个像素具有:
光接收部分,包括光电转换元件,以及
光采集部分,采集向着所述光接收部分的入射光,
所述多个像素中的每个光采集部分都包括在表面上具有取决于像素位置的特定凸凹结构的光功能层。
2.根据权利要求1所述的成像元件,其中
在所述多个像素中,距中心像素的距离越大,所述光功能层中的所述凸凹结构的规模越小。
3.根据权利要求2所述的成像元件,其中
在所述多个像素中,通过所述光功能层的光束的出射角基本上恒定。
4.根据权利要求2所述的成像元件,其中
在所述光接收部分中,所述凸凹结构的规模小于接收光波长。
5.根据权利要求1所述的成像元件,其中
所述光采集部分具有作为所述光功能层的透镜,以及
所述凸凹结构提供在所述透镜的表面上。
6.根据权利要求5所述的成像元件,其中
内透镜存在于所述透镜与所述光接收部分之间。
7.根据权利要求6所述的成像元件,其中
所述凸凹结构提供在所述内透镜的表面上。
8.根据权利要求5所述的成像元件,其中
抗反射膜存在于所述透镜与所述光接收部分之间。
9.根据权利要求8所述的成像元件,其中
所述凸凹结构提供在所述抗反射膜的表面上。
10.根据权利要求5所述的成像元件,其中
在所述多个像素中,设置所述透镜以向着中心像素偏移,以及
距所述中心像素的距离越长,所述透镜的偏移量越大。
11.一种用于制造成像元件的方法,所述方法包括:
在形成二维排列并且每个都具有包括光电转换元件的光接收部分和采集向着所述光接收部分的入射光的光采集部分的多个像素时,在所述多个像素中,在每个光采集部分中形成在表面上具有取决于像素位置的特定凸凹结构的光功能层。
12.根据权利要求11所述的成像元件的制造方法,其中
提供透镜作为所述光功能层,以及
在所述透镜的表面上形成所述凸凹结构。
13.根据权利要求12所述的成像元件的制造方法,其中
利用纳米压印方法形成所述光功能层中的所述凸凹结构。
14.根据权利要求12所述的成像元件的制造方法,其中
利用纳米球溶液形成所述光功能层中的所述凸凹结构。
15.根据权利要求12所述的成像元件的制造方法,其中
作为出瞳距离和距中心像素的距离的函数,获得所述透镜的有效折射率,以及
根据所获得的有效折射率,决定所述凸凹结构的规模。
16.一种在设计像素中的凸凹结构的规模时使用的像素设计方法,所述像素包括在表面上具有凸凹结构的光功能层,所述方法包括:
作为出瞳距离和距中心像素的距离的函数,获得所述光功能层的有效折射率;以及
根据所获得的有效折射率,决定所述凸凹结构的所述规模。
17.一种具有成像元件的电子设备,包括:
多个像素,配置为二维排列,并且每个像素都具有包括光电转换元件的光接收部分和采集向着所述光接收部分的入射光的光采集部分,
所述多个像素中的每个光采集部分都包括在表面上具有取决于像素位置的特定凸凹结构的光功能层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210035073.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光器件封装件及其制造方法
- 下一篇:照明模块和照明设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的