[发明专利]用于晶圆级封装的互连结构

权利要求书

1.一种封装件，包括：

器件管芯，包括衬底；

模塑料，接触所述衬底的侧壁；

金属焊盘，位于所述衬底上方；

钝化层，包括覆盖所述金属焊盘的边部的部分；

金属柱，位于所述金属焊盘上方，并被电连接至所述金属焊盘；

介电层，位于所述钝化层上方；

封装材料，在所述介电层上方由其他模塑料或聚合物形成，其中所述介电层包括底部和侧壁部，所述底部位于所述钝化层和所述封装材料之间，所述侧壁部位于所述金属柱的侧壁和所述封装材料的侧壁之间，并接触所述金属柱的侧壁和所述封装材料的侧壁；

聚合物层，位于所述封装材料、所述模塑料和所述金属柱上方；

钝化后互连件(PPI)，延伸至所述聚合物层中的开口内并被电连接至所述金属柱，其中所述PPI进一步包括位于所述聚合物层正上方的部分；和

焊球，位于所述PPI上方，并被电连接至所述PPI。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述介电层的底部的厚度接近所述介电层的侧壁部的厚度；或者其中所述封装材料包括聚酰亚胺；或者其中所述封装材料的顶面、所述介电层的顶边和所述金属柱的顶面彼此齐平；或者

其中所述封装材料的顶面、所述介电层的顶边和所述金属柱的顶面彼此齐平，且其中所述模塑料的顶面进一步与所述封装材料的顶面、所述介电层的顶边和所述金属柱的顶面齐平；或者其中所述介电层包含选自基本上由下列材料组成的组中的材料：氮化硅、碳化硅、氮碳化硅、碳氧化硅、四乙基原硅酸盐(TEOS)氧化物、氧化硅及其组合。

3.一种封装件，包括：

器件管芯，包括衬底；

模塑料，接触所述衬底的侧壁；

金属焊盘，位于所述衬底的上方；

钝化层，包括覆盖所述金属焊盘的边部的部分；

介电层，位于所述钝化层上方，其中所述介电层包括延伸至所述钝化层中的开口内的部分，所述介电层的所述部分包括接触所述金属焊盘的顶面的底面；

第一聚合物层，位于所述介电层上方，其中所述第一聚合物层没有延伸至所述模塑料的正上方；

第二聚合物层，位于所述第一聚合物层和所述模塑料上方，并垂直叠盖所述第一聚合物层和所述模塑料；

钝化后互连件(PPI)，包括延伸至开口内的通孔，所述开口延伸至所述第一聚合物层和所述第二聚合物层内，其中所述通孔接触所述金属焊盘的顶面，并且其中所述介电层的边接触所述通孔的侧壁；和

焊球，位于所述PPI和所述第二聚合物层的上方，其中所述焊球通过所述PPI被电连接至所述金属焊盘。

4.根据权利要求3所述的封装件，其中所述第一聚合物层包括接触所述模塑料侧壁的侧壁，其中所述介电层包括接触所述模塑料侧壁的边，并且其中所述模塑料的顶面与所述第一聚合物层的顶面齐平；或者

所述封装件进一步包括介电硬掩模层，所述介电硬掩模层位于所述第二聚合物层上方和所述PPI的一部分的下方；或者

所述封装件进一步包括介电硬掩模层，所述介电硬掩模层位于所述第二聚合物层上方和所述PPI的一部分的下方，且其中所述介电硬掩模层包含氮化硅；或者

其中所述模塑料包括顶面，所述顶面接触所述第二聚合物层的底面；或者

其中所述介电层包含选自基本上由下列材料组成的组中的材料：氮化硅、碳化硅、氮碳化硅、碳氧化硅、四乙酸原硅酸盐(TEOS)氧化物、氧化硅、及其组合。

5.一种方法，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆包括：

器件管芯，包括衬底；

金属焊盘，位于所述衬底上方；和

钝化层，包括覆盖所述金属焊盘的边部的部分，其中所述金属焊盘的顶面的一部分没有被所述钝化层覆盖；

在所述器件晶圆上方形成介电层，其中所述整个器件晶圆被所述介电层覆盖；以及

对所述器件晶圆实施管芯切割，从而在所述器件晶圆中使所述器件管芯与其他管芯分开，其中在覆盖形成所述介电层的步骤和管芯切割的步骤之间没有对所述介电层实施图案化，并且其中所述器件管芯包括所述介电层。