[发明专利]一种单端操作的亚阈值存储单元电路

权利要求书

1.一种单端操作的亚阈值存储单元电路，其特征在于：设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1～N7，两个PMOS管P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接，PMOS管P1的漏极与NMOS管N3、N4、N6的漏极、NMOS管N2的栅极以及PMOS管P2的栅极连接在一起，PMOS管P1的栅极与NMOS管N1、N7的栅极、PMOS管P2的漏极以及NMOS管N2的漏极连接在一起，七个NMOS管N1～N7的体端以及NMOS管N1、N2、N7的源极均接地，NMOS管N1的漏极与NMOS管N3、N4的源级连接在一起，NMOS管N3的栅极连接行写控制信号RWR，NMOS管N4的栅极连接列写控制信号CWR，NMOS管N5的栅极连接读字线RWL，NMOS管N5的漏极连接读位线RBL，NMOS管N5的源极连接NMOS管N7的漏极，NMOS管N6的栅极连接写字线WWL，NMOS管N6的源极连接写位线WBL。