[发明专利]烧结钕铁硼化学复合镀镍磷工艺无效
申请号: | 201210036172.5 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN102560445A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 舒阳会;何卫阳;秦国超;胡娟;万绍平;詹枞生 | 申请(专利权)人: | 湖南航天工业总公司 |
主分类号: | C23C18/18 | 分类号: | C23C18/18;C23C18/36 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 郭立中 |
地址: | 410205 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 钕铁硼 化学 复合 镀镍磷 工艺 | ||
技术领域
本发明属于材料的表面化学处理领域,具体涉及烧结钕铁硼化学复合镀镍磷工艺。
背景技术
烧结钕铁硼永磁材料是目前永磁性能最高的永磁材料,在计算机硬盘、微波通讯、风力发电机、电动汽车等高技术领域应用广泛。烧结钕铁硼永磁材料的主要成分是纯铁、稀土金属钕、镨、镝铽等,在生产中采用粉末冶金技术;烧结钕铁硼永磁材料在潮湿空气、海洋盐气氛及酸碱环境中容易氧化;烧结钕铁硼材料与其它金属材料相比,其致密性差,存在少量的孔隙;所有的表面防蚀技术都要应对这一特性。现有技术中,多数是在烧结钕铁硼表面进行电镀锌或镍铜镍。也有在电镀镍铜镍的基础上再电泳环氧树脂,这些技术能满足一般的抗蚀要求;但对于风力发电机或新能源汽车或环境要求苛刻的情况下,采用这些技术做的表面抗蚀镀层存在寿命的缺陷。
有文献报道化学镀镍磷合金镀层的抗蚀性能高于电镀镍铜镍,也有文献报道化学镀镍铜磷镀层的抗蚀性能高于化学镀镍磷,但多数研究都是针对钢铁工件的,只有少数文献报道了烧结钕铁硼化学镀镍磷或化学镀镍铜磷的成果。郑华均等人研究了在烧结钕铁硼工件上先中性化学镀镍磷,再酸性化学镀镍磷,其中的工艺流程是先封孔再除油,工件孔隙内不可避免地仍然存在油污;其次,分析其中性化学镀镍磷液的配方,存在易分解的隐患。中国专利01128227.4公开了钕铁硼化学镀镍磷的方法,该专利一方面在镀液中采用了乙酸铅,另一方面采用CrO3对镀层做封孔处理,说明该专利所得到的镀层并不致密;所采用的乙酸铅和CrO3化学品都是目前影响环境的物质。中国专利200610038145.6钕铁硼化学镀镍磷的方法,也用了乙酸铅和CrO3,在化学镀镍磷镀液的成分上有与前一专利有雷同之处,该专利的化学镀镍磷,先封孔化学镀,然后中性化学镀,再酸性化学镀镍磷,流程长,镀液中的铬合剂种类繁多而复杂,并且也采用了CrO3对镀层做封孔处理。
发明内容
本发明旨在克服现有技术中工艺繁杂,不环保,效果欠佳的问题,提供一种工艺简单,成本低,适用范围广的化学复合镀镍磷工艺,尤其是在有较多孔隙的烧结钕铁硼表面化学复合镀镍磷工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:针对粉末冶金技术生产的零部件,尤其是烧结钕铁硼存在多孔隙的特点,采用真空烘油、弱碱除油、弱酸腐蚀、再弱碱除油,采用中性活化,化学复合镀镍磷氧化硅或氧化铝封孔,再化学镀镍磷技术,具体包括如下步骤:
(1)烘油:真空加热待镀工件至200~250℃,保温2小时;
(2)待镀工件表面预处理:将待镀工件表面打磨,置于含不同规格的不规则的氧化铝介质球的振磨机中,水介质为含碳酸钠50g/L的去离子水,振磨8~24小时,用流动去离子水洗净;
(3)弱腐蚀:将待镀工件放入浓度为30~50g/L硫酸溶液中,浸泡1~3min,优选地,在超声波下浸泡1~3min,然后热水冲洗;
(4)再除油:将待镀工件置于含质量分数为8~15%的硅酸钠水溶液中,浸泡20~40min,优选地,在超声波下浸泡20~40min,再用去离子水洗净,吹干;
(5)活化:将待镀工件用醋酸镍、次亚磷酸钠、无水乙醇和去离子水组成的活化溶液浸泡10~30min,优选地,在超声波下浸泡10~30min;再用去离子水洗净,吹干;然后在100~170℃热处理15~25min;其中,所述活化溶液中,醋酸镍、次亚磷酸钠与无水乙醇的质量比为1:(0.8~1.2):(12~18),去离子水为醋酸镍重量的3~5倍;
(6)预镀:将纳米二氧化硅或氧化铝放入由镍盐、还原剂、络合剂、稳定剂、缓冲剂和去离子水组成的化学镀液中,搅拌,预镀1小时;将经步骤(5)活化后的待镀工件置于含有纳米二氧化硅或氧化铝的镀液内,预镀1小时;将镀件取出用清水洗净,吹干;其中,纳米二氧化硅或氧化铝在镀液中的浓度为5g/L;其中,所述化学镀液中,镍盐含量为15~25g/L,还原剂含量为15~20g/L,络合剂含量为10~25ml/L,硼酸含量为10~20g/L,稳定剂含量为1~10g/L,缓冲剂含量为0.5~2g/L,其余为去离子水;化学镀液pH值为4.5~5,温度为70~95℃;镀速为5~8μm/h;
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