[发明专利]一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法

权利要求书

1.一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，其特征在于包括下列步骤：

(1)氧化、有源区及场限环光刻：将高阻硅单晶片清洗处理后进行高温氧化，然后在高阻硅单晶片的正面进行光刻、腐蚀形成场限环及有源区；

(2)掺杂与推进：将硼离子注入到场限环及有源区，然后进行高温推进形成阳极区P型层；

(3)多晶硅场板制作：在经步骤(2)处理后的高阻硅单晶片的正面淀积多晶硅并进行磷扩散，然后进行光刻、刻蚀形成多晶硅场板；

(4)铂扩散：在经步骤(3)处理后的高阻硅单晶片的正面淀积二氧化硅或磷硅玻璃作为钝化层，光刻、腐蚀形成扩铂窗口，进行铂淀积和铂扩散；

(5)减薄：根据击穿电压确定N-高阻层的厚度，并按照N-高阻层的厚度在高阻硅单晶片的背面进行减薄；

(6)N型缓冲层形成：在经步骤(5)处理后的高阻硅单晶片的背面进行高能量磷离子注入并进行高温退火将磷离子激活，形成N型缓冲层；

(7)接触掺杂和退火：在经步骤(4)处理后的高阻硅单晶片的正面进行硼离子掺杂形成阳极接触P+层，在经步骤(6)处理后的高阻硅单晶片的背面进行磷离子掺杂形成阴极接触N+层，然后退火将杂质离子激活；

(8)金属化：对经步骤(7)处理后的高阻硅单晶片的正面及背面进行金属化并合金。

2.根据权利要求1所述的一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，其特征在于：所用高阻硅单晶片的材料电阻率为10～200Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中硼离子的注入能量为30～100KeV，剂量为1×12～6×15cm^-2；推进温度为1100℃～1250℃，推进时间为100～1000分钟。

4.根据权利要求1所述的一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(3)中多晶硅厚度为磷扩散后的电阻率为4～20Ω·cm。

5.根据权利要求1所述的一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(4)中钝化层厚度为

6.根据权利要求1所述的一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(6)中磷离子的注入能量：150KeV～15MeV，形成的所述N型缓冲层的厚度1～8um，进行高温退火将磷离子激活磷的温度为600～1000℃。

7.根据权利要求1所述的一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤(7)中硼离子注入能量为30～80KeV，注入剂量：1×15～1×16cm^-2，磷离子注入能量为30～80KeV，注入剂量：2×15～2×16cm^-2，退火温度：400～900℃。