[发明专利]高栅极密度器件和方法有效
| 申请号： | 201210036781.0 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103137624A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 谢铭峰;张长昀;陈欣志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 密度 器件 方法 | ||
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
多个栅极结构，设置在半导体衬底上；
多个电介质材料的栅极侧壁间隔件，形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上；
层间电介质(ILD)，设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上；
隔离部件，嵌入所述半导体衬底内并延伸至所述ILD；以及
电介质材料的侧壁间隔件，设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括靠近所述隔离部件和靠近所述栅极结构的外延生长区。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述外延生长区彼此具有相同的形状。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述外延生长区彼此具有相同的晶面。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述外延生长区包括硅锗。
6.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成多个伪栅极结构；
在所述伪栅极结构的侧壁上形成侧壁间隔件；
在所述伪栅极结构之间形成多个外延生长区；
在形成所述多个外延生长区后，去除所述伪栅极结构中之一来形成隔离沟槽；
用电介质层填充所述隔离沟槽来形成隔离部件；
去除剩余的所述伪栅极结构来形成栅极沟槽；
在所述栅极沟槽内形成栅极结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述隔离沟槽的上部具有与所述伪栅极结构相似的轮廓。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述隔离沟槽蚀刻包括第一部分，所述第一部分为去除所述伪栅极部件并且暴露所述半导体衬底以形成所述隔离沟槽的上部。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括蚀刻的第二部分，所述第二部分为蚀刻所述半导体衬底从而形成所述隔离部件的下部。
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
硅衬底；
两个设置在所述衬底上的高k/金属栅极(HK/MG)部件；
形成在所述HK/MG部件的各个侧壁上的多个电介质材料的栅极间隔件；
形成在所述两个HK/MG部件之间的多个外延生长硅锗区，其中，所述外延生长区彼此具有相同的形状和相同的晶面；以及
设置在所述半导体衬底和所述HK/MG部件上的ILD；
嵌入所述半导体衬底并延伸至所述ILD的隔离部件；以及，
设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上的电介质材料的侧壁间隔件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
