[发明专利]热稳定性增强的透明导电薄膜及其应用

权利要求书

1.一种热稳定性增强的透明导电薄膜，其特征在于，从下至上依次包括衬底(1)、第一氧化物层(21)、第一重掺杂层(31)、金属层(4)、第二重掺杂层(32)和第二氧化物层(22)。

2.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述衬底(1)是玻璃、塑料、石英或蓝宝石之任意一种；所述第一氧化物层(21)、第二氧化物层(22)是ZnO、AZO、GZO、IZO、ITO、In₂O₃、SnO₂、FTO、TiO₂、MoO₂、MoO₃、NiO、VO₂、V₂O₅或W₂O₃之任意一种；所述金属层(4)是银、金、镍、铬、铂、铜或铝之任意一种；所述第一重掺杂层(31)、第二重掺杂层(32)是金属、金属氧化物、氮化物、氮氧化物、氟化物或者经重掺杂的氧化物之任意一种。

3.如权利要求2所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述金属包括铝、铟、镓、锂、钠、锡；所述金属氧化物包括氧化铝、氧化铟、氧化镓、氧化锡；所述氮化物包括氮化铝和氮化硅；所述氮氧化物包括氮氧化硅和氮氧化铝；所述氟化物包括氟化锂、氟化钠、氟化镁；所述经重掺杂的氧化物包括重度掺铝ZnO、重度掺锂NiO、重度掺镓ZnO、重度掺铟ZnO、重度掺锡In₂O₃和重度掺氟SnO₂。

4.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述第一重掺杂层(31)直接插在金属层(4)与第一氧化物层(21)之间，所述第二重掺杂层(32)直接插在金属层(4)与第二氧化物层(22)之间。

5.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述第一氧化物层(21)与金属层(4)之间、第二氧化物层(22)与金属层(4)之间的电导率高于第一氧化物层(21)、第二氧化物层(22)内部的电导率。

6.一种如权利要求1所述的热稳定性增强的透明导电薄膜，其特征在于，所述第二氧化物层(22)是非简并态半导体层，包括电子型传输层或空穴型传输层；所述第二氧化物层(22)是ZnO、In₂O₃、SnO₂、TiO₂、MoO₂、MoO₃、NiO、VO₂、V₂O₅或W₂O₃之任意一种。

7.一种如权利要求1所述的热稳定性增强的透明导电薄膜，其特征在于，当所述第二氧化物层(22)是简并态半导体层，所述第二氧化物层(22)上还设置有非简并态半导体层；其中，所述非简并态半导体层包括电子型传输层或空穴型传输层；所述第一重掺杂层(31)是金属氧化物、氮化物、氮氧化物、氟化物或者经重掺杂的氧化物之任意一种。

8.一种热稳定性增强的透明导电薄膜，其特征在于，从下至上依次包括衬底(1)、第一重掺杂层(31)、金属层(4)、第二重掺杂层(32)和第二氧化物层(22)；其中，第一重掺杂层(31)是经重掺杂的氧化物。

9.如权利要求1或8之任意一项所述的透明导电薄膜的应用，其特征在于，所述透明导电薄膜直接沉积在衬底或者光电器件的阴极或阳极上。

10.如权利要求9所述的透明导电薄膜的应用，其特征在于，当所述第二氧化物层(22)是电子型传输层，所述透明导电薄膜沉积在光电器件的阴极上；当所述第二氧化物层(22)是空穴型传输层，所述透明导电薄膜沉积在光电器件的阳极上。