[发明专利]发光装置结构

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于包括：

一基底；

一外延结构，设置于所述的基底上，所述外延结构至少包括第一导电型半导体层、活性发光层和第二导电型半导体层；

一第一电极，设置于所述第一导电型半导体层上；

一透明导电层，位于所述第一电极和所述第一导电型半导体层间；以及

一三维立体分布式布拉格反射层，位于所述透明导电层和所述第一导电型半导体层间。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于在所述基底相对于所述第一电极的另一侧设置有反射层。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于所述的三维立体分布式布拉格反射层只设置于所述第一电极的下方。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于所述的外延结构包括多个柱体结构。

6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于所述的多个柱体结构只形成于所述第一电极下方。

7.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于所述的三维立体分布式布拉格反射层形成在所述多个柱体结构的表面上。

8.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于所述的多个柱体结构只设置于所述的第一电极的下方。

9.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于所述的多个柱体结构间是凹陷沟槽。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于所述的凹陷沟槽的深度选自于下列组成或之一：

所述凹陷沟槽的深度比所述活性发光层更深，并深入到所述第二导电型半导体层；

所述凹陷沟槽的深度不会超过所述的第一导电型半导体层的厚度；以及

所述凹陷沟槽的深度不会超过所述第一导电型半导体层厚度和所述活性发光层厚度的总和。

11.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于各所述柱体结构的倾斜侧壁和凹陷沟槽的底面间具有锐角夹角，且所述的锐角夹角介于35°至80°间。

12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于所述的第一电极另包括分支电极。

13.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于所述的透明导电层只和所述分支电极重叠，且所述第一电极直接接触所述三维立体分布式布拉格反射层。

14.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于所述的透明导电层只和所述分支电极的边缘重叠。

15.一种发光装置，其特征在于包括：

一基底；

一外延结构，设置于所述的基底上，所述外延结构至少包括第一导电型半导体层、活性发光层和第二导电型半导体层；

一第一电极，设置于所述的第一导电型半导体层上；

一透明导电层，位于所述第一电极和所述第一导电型半导体层间；以及

一分布式布拉格反射层，位于所述第一电极和所述透明导电层间。

16.根据权利要求15所述的发光装置，其特征在于所述的外延结构包括多个柱体结构。

17.根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于所述的多个柱体结构只形成于所述第一电极下方。

18.根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于所述的透明导电层形成在所述多个柱体结构的表面上。

19.根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于所述的多个柱体结构间是凹陷沟槽。

20.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于所述的凹陷沟槽的深度不会超过所述第一导电型半导体层的厚度。