[发明专利]电能产生器有效
申请号: | 201210037452.8 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN102655206A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 金成珉;车承南 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L41/113 | 分类号: | H01L41/113;H01L31/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电能 产生器 | ||
1.一种电能产生器,包括:
第一基板;
第二基板,距离所述第一基板预定距离设置;
多个细长部件,设置在所述第一基板和所述第二基板之间,其中所述多个细长部件中的至少一个由压电材料形成;及
接触层,设置在所述第二基板上,
其中所述接触层由具有金属-绝缘体转变特性的材料形成,且
其中所述多个细长部件中的所述至少一个的第一端与所述接触层形成接触。
2.如权利要求1的电能产生器,其中所述多个细长部件中的所述至少一个的第二端与所述第一基板形成p-n结。
3.如权利要求1的电能产生器,其中所述多个细长部件是纳米线。
4.如权利要求1的电能产生器,其中所述接触层的金属-绝缘体转变特性是以温度变化为基础的。
5.如权利要求4的电能产生器,其中所述细长部件的所述第一端和所述接触层之间的所述接触在高于预定温度的温度是欧姆接触。
6.如权利要求4的电能产生器,其中所述细长部件的所述第一端和所述接触层之间的所述接触在低于预定温度的温度是肖特基接触。
7.如权利要求4的电能产生器,其中所述接触层包括钒氧化物。
8.如权利要求1的电能产生器,其中所述接触层形成在由可变形材料形成的透明基板上。
9.如权利要求3的电能产生器,其中所述纳米线包括锌氧化物、锆钛酸铅或聚偏氟乙烯。
10.如权利要求1的电能产生器,其中所述第一基板是包括无机材料和有机材料至少之一的半导体层。
11.如权利要求2的电能产生器,其中所述细长部件是由n型半导体材料形成的纳米线,且
其中与所述纳米线的所述第二端形成p-n结的所述第一基板是由p型半导体材料形成的半导体层。
12.如权利要求2的电能产生器,其中所述细长部件是由p型半导体材料形成的纳米线,且
其中与所述纳米线的所述第二端形成p-n结的所述第一基板是由n型半导体材料形成的半导体层。
13.如权利要求1的电能产生器,其中所述多个细长部件基本垂直于所述第一基板和所述第二基板之一排列或相对所述第一基板和所述第二基板之一以预定角度排列。
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