[发明专利]具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

承载多个电路元件的衬底(10)；

互连所述电路元件的金属化叠层(12，14，16)，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，所述图案化上金属化层包括第一金属部(20)；

覆盖金属化叠层的钝化叠层(24，26，28)；和

传感器，包括位于钝化叠层上的传感材料(40)，所述传感器通过延伸穿过钝化叠层的通路(34)连接至第一金属部。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中传感器还包括位于钝化叠层(24，26，28)上的电极(54)，所述电极电连接至所述通路(34)。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述通路(34)包括钨。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路，还包括上金属化层中的键合焊盘部(20’，22)。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中钝化叠层(24，26，28)包括至少部分地露出键合焊盘部(22)的开口(38)。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中钝化叠层(24，26，28)还包括围绕所述开口的不透湿气保护环(34’)，所述保护环延伸到键合焊盘部(22)上。

7.根据权利要求4所述的集成电路，还包括位于所述钝化叠层(24，26，28)上的键合焊盘(56)，所述键合焊盘通过延伸穿过钝化叠层的另一个通路(34)电连接至键合焊盘部(20’)。

8.根据权利要求2所述的集成电路，其中传感器还包括位于钝化叠层(24，26，28)上的第二电极(54)，其中上金属化层包括通过延伸穿过钝化层的第二通路电连接至第二电极的第二金属部(20)，第一电极和第二电极通过传感材料(40)彼此电绝缘，并且其中传感材料具有根据相对湿度而变化的可变介电常数。

9.根据权利要求2所述的集成电路，其中钝化叠层包括Ta₂O₅层(42)，所述传感材料(40)形成在所述Ta₂O₅层上。

10.一种制造集成电路的方法，包括：

提供承载多个电路元件的衬底(10)；

形成互连所述电路元件的金属化叠层(12，14，16)，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，所述图案化上金属化层包括第一金属部(20)；

形成覆盖金属化叠层的钝化叠层(24，26，28)；

在钝化叠层中形成沟槽(32)以露出第一金属部；

在所述沟槽中形成通路(34)；以及

在所述通路上方形成包括位于钝化叠层上的传感材料(40)的传感器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述传感器的步骤包括在钝化叠层上形成第一电极(54)，其中第一电极电连接至所述通路(34)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

图案化上金属化层包括第二金属部(20)；

形成所述沟槽(32)的步骤还包括形成露出第二金属部的另一沟槽；

形成所述通路(34)的步骤还包括在所述另一沟槽中形成第二通路；以及

形成所述传感器的步骤还包括在钝化叠层(24，26，28)上形成第二电极，第二电极通过传感材料(40)与第一电极电绝缘，其中第二电极电连接至第二通路。

13.根据权利要求10-12中任一项所述的方法，其中上金属化层还包括键合焊盘部(20’，22)，并且其中该方法还包括：在钝化叠层(24，26，28)中形成至少部分地露出所述键合焊盘部的开口(38)。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：在钝化叠层中形成围绕所述开口(38)的不透湿气保护环(24’)，所述保护环延伸到键合焊盘部上。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：在所述开口中形成另一通路，以及在钝化叠层(24，26，28)上形成电连接至所述另一通路的键合焊盘(56)。