[发明专利]一种鳍型场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种在体硅上形成高密度鳍型场效应晶体管的方法，包括：

在体硅上形成多个鳍片晶种；

薄化所述鳍片晶种；

在所述多个鳍片晶种之间形成隔离区以隔离所述多个鳍片晶种；

在所述鳍片晶种和所述隔离区上交替形成多个锗硅层和硅层；

进行化学机械研磨处理以露出所述鳍片晶种；

除去所述锗硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成鳍片晶种的方法是光刻/蚀刻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄化鳍片的方法是氧化和氧化去除，所述氧化和氧化去除的方法也用来去除所述蚀刻的瑕疵。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多个鳍片晶种中之间形成隔离区的方法包括浅沟道隔离沉积、化学机械研磨以及回蚀刻的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其中交替形成多个锗硅层和硅层的方法包括多层锗硅/硅选择性外延技术。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述锗硅层与所述硅层的厚度比可以是任何比例。