[发明专利]防止超厚金属上钝化层的破裂

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，更具体的，本发明涉及防止超厚金属上钝化层的破裂。

背景技术

为了降低金属线的电阻，超厚金属(UTM)线形成在集成电路上。由于电阻的降低，集成电路器件例如电感器的性能可以得到改进以满足某些对性能要求高的电路例如混合信号电路，模拟电路，和射频(RF)电路的需求。

可以用钝化层覆盖UTM线。然而，由于UTM线的显著厚度，而且进一步由于UTM线和钝化层的热膨胀系数(CTEs)的不匹配，当钝化层受到热循环时钝化层会破裂。破裂也可能从钝化层传播到下面的介电层，因此会对各个集成电路形成工艺的产量造成坏影响。通常，为了防止钝化层的破裂，将钝化层的厚度增加到大于UTM线的厚度。然而，这个方法导致生产成本的增加和产量的降低。

发明内容

针对现有技术的问题，本发明提供了一种器件包括：顶部金属层；在所述顶部金属层上方并且具有第一厚度的超厚金属(UTM)线；以及在所述UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层，其中所述第二厚度与所述第一厚度的比小于约0.33。

根据本发明所述的器件，其中所述第一厚度与所述顶部金属层的厚度的比大于约3。

根据本发明所述的器件，其中所述第一厚度大于约

根据本发明所述的器件，其中所述钝化层包括在所述UTM线的顶面上方并且接触所述UTM线的顶面的第一部分，和接触所述UTM线的侧壁的第二部分。

根据本发明所述的器件，还包括在所述顶部金属层上方和所述UTM线下面的通孔介电层，其中所述钝化层还包括与所述通孔介电层的顶面接触的第三部分，其中所述第三部分的顶面低于所述UTM线的顶面。

根据本发明所述的器件，其中所述第一部分，所述第二部分，以及所述第三部分具有基本上相同的厚度。

根据本发明所述的器件，其中所述钝化层包括与所述UTM线接触的氧化硅层，以及在所述氧化硅层上方并且与所述氧化硅层接触的氮化硅层。

根据本发明所述的器件，其中没有附加的层形成在所述钝化层的上方并且接触所述钝化层。

根据本发明所述的一种器件，包括：半导体基板；在所述半导体基板上方并且包括顶部金属层的多个金属层；在所述顶部金属层上方并且具有大于约的第一厚度的第一超厚金属(UTM)线和第二超厚金属线；以及具有第二厚度的钝化层，其中所述第二厚度与所述第一厚度的比小于约0.33，其中所述钝化层包括在所述第一UTM线和所述第二UTM线上方并且垂直地覆盖所述第一UTM线和所述第二UTM线的第一部分，和在所述第一UTM线和所述第二UTM线侧壁上的第二部分，而且其中所述钝化层包括接触所述第一UTM线和所述第二UTM线的氧化硅层，以及在所述氧化硅层上方并且接触所述氧化硅层的氮化硅层。

根据本发明所述的器件，其中所述第一UTM线和所述第二UTM线的所述第一厚度与所述顶部金属层的厚度的比大于约3。

根据本发明所述的器件，其中所述第一厚度大于约

根据本发明所述的器件，其中所述钝化层的第一部分接触所述第一UTM线和所述第二UTM线的顶面，而且其中所述钝化层的第二部分接触所述第一UTM线和所述第二UTM线的侧壁。

根据本发明所述的器件还包括：在所述顶部金属层上方并且在所述第一UTM线和所述第二UTM线下面的通孔介电层；以及金属通孔，所述金属通孔在所述第一UTM线和所述第二UTM线与所述顶部金属层中的金属线之间并且连接所述第一UTM线和所述第二UTM线与所述顶部金属层中的金属线。

根据本发明所述的器件，其中所述钝化层还包括与所述通孔介电层的顶面接触的第三部分。

根据本发明所述的器件，其中所述钝化层的所述第一部分和所述第三部分具有基本上相同的厚度。

根据本发明所述的器件，其中所述比小于约0.25。