[发明专利]一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤；

(1)在硅片衬底的两面经过高温扩散炉形成n型层；

(2)采用化学腐蚀溶液去除硅片衬底背面的n型层；

(3)在硅片衬底的两面通过热氧化形成热氧化层；

(4)在硅片衬底背面镀上一层氮化硅，与热氧化层形成复合钝化膜；

(5)在硅片衬底背面丝网印刷有空心阵列图案的无玻璃料铝浆料层，并烧结；

(6)在等离子刻蚀设备中通过等离子体去除硅片衬底背面空心图案处的背面氮化硅层；

(7)在硅片衬底前表面镀上氮化硅，与热氧化层形成双层减反膜；

(8)在硅片衬底背面丝网印刷有玻璃料铝浆料层并烘干；

(9)在硅片衬底前表面印刷银浆料图案并烘干；

(10)通过烧结炉高温烧结使做背电极的有玻璃料铝浆料层烧穿薄热氧化层，与硅片衬底形成局域欧姆接触及局域铝背场，前表面银浆料电极烧穿双层减反膜与硅片衬底形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：在步骤(1)前对硅片衬底进行标准工艺清洗及制绒，在步骤(1)后步骤(2)前对硅片衬底用氢氟酸清洗表面磷硅玻璃。

3.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的化学腐蚀溶液为HF/HNO₃的混合液，或者为NaOH或KOH溶液。

4.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(3)中热氧层为厚度为5～50nm的二氧化硅层或厚度为5-100nm的镀氧化铝层。

5.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(4)中氮化硅的厚度为40～300nm。

6.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(5)中空心阵列图案占硅片衬底背面面积的0.5％～20％。

7.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(5)中无玻璃料铝浆料层可以用丝网印刷硅浆料层或有机掩膜代替，所述硅浆料层的厚度为5～30μm。

8.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(6)中的等离子体设备的气源为CF₄/O₂，或者CF₄/H₂，或者CHF₃/O₂；在完成步骤(6)后用氢氟酸溶液将前表面的氧化硅层去除，氢氟酸浓度为1％～49％。

9.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(7)中双层减反膜的厚度为40～100nm。

10.根据权利要求1所述的基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤(8)中有玻璃料铝浆料层厚度为5～30μm，步骤(9)中银浆料图案的厚度为5～30μm。