[发明专利]一种精确测量WEE宽度的方法

权利要求书

1.一种精确测量WEE宽度的方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：将光刻机挡板设置在需曝光使用的光刻对位标记上；

步骤2：将光刻对位标记依次曝光放置在晶片边缘，放置要求如下：

1)光刻对位标记的放置位置至少为上下左右四个位置；

2)各相邻光刻对位标记互相错开；

3)各相邻光刻对位标记间的间距为0，即光刻机的步进距离为光刻对位标记尺寸；

4)最外侧光刻对位标记距晶片边缘距离小于0.5毫米；

步骤3：经WEE后，根据WEE分界线(1)和晶片边缘(3)之间的WEE分界线外显影后不存在的图形(2)曝光的布局数据和显影后保存的完整光刻对位标记个数及是否包含不完整光刻对位标记，计算WEE宽度，光刻对位标记数量采用进一法，不足一个完整光刻对位标记的按一个计算，具体计算公式为公式1和公式2：

当WEE后，光刻对位标记均为完整图形时，计算公式如公式1：

WEE宽度＝光刻对位标记宽度×WEE后完整光刻对位标记个数+光刻对位标记距离×光刻对位标记间距个数            1

当WEE后，光刻对位标记包含不完整图形时，计算公式如公式2：

WEE宽度＝光刻对位标记宽度×(WEE后完整光刻对位标记个数+1)+光刻对位标记距离×光刻对位标记间距个数            2

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：曝光使用的光刻对位标记满足如下条件：

曝光使用的光刻对位标记包含周期性的重复图形，以便根据图形数目判断不完整光刻对位标记的宽度或高度；

WEE的精度为0.1毫米，因此光刻对位标记中重复图形的周期需满足该精度要求，实际可使用的尺寸为8-40微米；

不完整光刻对位标记中保留的重复图形的数目是在显微镜下识别的，因此其最小图形应可以被光学显微镜识别，最小尺寸大于2微米。