[发明专利]发光二极管元件及发光二极管装置

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管元件及发光二极管装置，详细地讲是涉及发光二极管元件及倒装片片安装有该发光二极管元件的发光二极管装置。

背景技术

发光二极管装置包括具有端子的基底基板及安装在该基底基板上的发光二极管元件，该发光二极管元件包括电极部、连接于该电极部的光半导体层及密封电极部和光半导体层的密封树脂层。

以往，在发光二极管装置中，利用引线接合将发光二极管元件的电极部和基底基板的端子连接起来，但由于随着亮度升高而引起热量增大、由引线的阴影导致亮度降低等，因此，近年来，为了提高光的提取效率，对将发光二极管元件倒装片安装在基底基板上进行了各种研究。具体地讲，对于该倒装片安装，提出了将发光二极管元件的电极部直接与基底基板的端子电连接(例如参照日本特开2005-158932号公报)。

在日本特开2005-158932号公报中，为了进一步提高光的提取效率，在光半导体层的表面设置由具有较高反射率的金属成膜的扩散膜。

但是，在日本特开2005-158932号公报所述的发光二极管装置中，需要与光半导体层、密封树脂层分别独立地设置扩散膜，因此，装置构造相应地变复杂。另外，该发光二极管装置的制造成本增大。

发明内容

本发明的目的在于提供以低成本制造、能够以简单的构造充分地提高光的提取效率的发光二极管元件以及倒装片安装有该发光二极管元件的发光二极管装置。

本发明的发光二极管元件的特征在于，该发光二极管元件包括：光半导体层；电极部，其与上述光半导体层相连接；密封树脂层，其密封上述光半导体层和上述电极部，含有光反射成分。

另外，本发明的发光二极管装置的特征在于，该发光二极管装置包括：基底基板；发光二极管元件，其倒装片安装在上述基底基板上；上述发光二极管元件包括：光半导体层；电极部，其与上述光半导体层电连接；密封树脂层，其密封上述光半导体层和上述电极部，含有光反射成分。

本发明的发光二极管元件的密封树脂层含有光反射成分，因此，能够自电极部接收电力供给而利用密封树脂层将从光半导体层发出的光反射。因此，不必设置日本特开2005-158932号公报所述的扩散膜等，能够利用简单的构造且以低成本制造发光二极管元件，并且能够提高光的提取效率。

结果，在倒装片安装有上述发光二极管元件的发光二极管装置中，能够提高光的提取效率。

附图说明

图1是本发明的发光二极管装置的一个实施方式的剖视图。

图2是说明通过发光二极管元件的倒装片安装来制造图1的发光二极管装置的工序的剖视图。

图3是说明制造图2所示的发光二极管元件的方法的工序图，

(a)是准备发光层叠板的工序，

(b)是形成密封树脂层的工序，

(c)是除去基底基板的工序，

(d)是除去密封树脂层的上侧部分，之后对发光层叠板进行切断加工而得到发光二极管元件的工序。

图4是本发明的发光二极管装置的另一实施方式(发光二极管元件的光半导体层的下表面和侧面被密封树脂层密封的形态)的剖视图。

图5是说明制造图4所示的发光二极管装置的方法的工序图，

(a)是准备多个发光层叠体和剥离板的工序，

(b)是将多个发光层叠体层叠在剥离板上的工序，

(c)是利用密封树脂层密封多个发光层叠体的上表面和侧面的工序。

图6是接着图5说明制造图4所示的发光二极管装置的方法的工序图，

(d)是除去密封树脂层的上侧部分，之后进行切割而切分成发光二极管元件的工序，

(e)是将剥离板自发光二极管元件剥离的工序。

图7是本发明的发光二极管装置的另一实施方式(发光二极管元件的光半导体层的下表面和侧面及支承基板的侧面被密封树脂层密封的形态)的剖视图。

图8是说明制造图7所示的发光二极管装置的方法的工序图，

(a)是准备多个发光层叠体和剥离板的工序，

(b)是将多个发光层叠体层叠在剥离板上的工序，

(c)是利用密封树脂层密封多个发光层叠体的上表面和侧面的工序。

图9是接着图8说明制造图7所示的发光二极管装置的方法的工序图，

(d)是除去密封树脂层的上侧部分，之后进行切割而切分成发光二极管元件的工序，

(e)是将剥离板自发光二极管元件剥离的工序。

图10是比较例1的发光二极管装置(包括扩散膜的形态)的剖视图。

具体实施方式