[发明专利]固态成像器件及其制造方法、电子设备和半导体器件无效
申请号: | 201210040619.6 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN102651377A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 西泽贤一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 及其 制造 方法 电子设备 半导体器件 | ||
1.一种固态成像器件,包括:
传感器元件,具有多个像素,每个像素包括光电转换部;和
逻辑元件,具有衬垫电极,并以面对面地层叠在所述传感器元件上的方式附接至所述传感器元件,
其中,在所述传感器元件和逻辑元件的层叠体中,在所述衬垫电极的面向所述传感器元件的顶面上方设置有衬垫开口,并且设置衬垫周缘防护环来围绕所述衬垫开口的侧部,并且
所述衬垫周缘防护环通过在所述衬垫开口的侧部,以金属材料一体地填充至少与所述衬垫开口一样深的整个沟槽而形成。
2.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述衬垫周缘防护环形成为从顶向底变窄。
3.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,
所述衬垫周缘防护环由铜制成,并且
所述传感器元件在顶面上设置有有机树脂膜,以覆盖设置有所述衬垫周缘防护环的部分。
4.如权利要求3所述的固态成像器件,其中,
所述传感器元件在所述第一半导体基板的顶面侧设置有片上透镜,所述片上透镜设置成与多个像素中的每一个一一对应,所述片上透镜适配成将光聚集在光电转换部的受光面上,并且
所述片上透镜是由设置成覆盖所述第一半导体基板的顶面上形成有所述片上透镜的部分的有机树脂膜加工而成的。
5.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,
所述传感器元件包括第一半导体基板,所述第一半导体基板在面向所述逻辑元件的底面上具有第一互连层,
所述逻辑元件包括第二半导体基板,所述第二半导体基板在面向所述传感器元件的顶面上具有第二互连层,
所述衬垫电极设置在所述第二互连层中,并且
所述衬垫开口和所述衬垫周缘防护环中的每一个设置成至少穿透所述第一半导体基板和所述第一互连层。
6.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,
所述传感器元件和逻辑元件的层叠体在所述传感器元件与逻辑元件彼此相对的表面的方向上包括:
包括配置有多个像素的像素区域的芯片区域,和
围绕所述芯片区域定位的划线区域,
在所述划线区域中比待切割部分更靠近所述芯片区域的部分中,作为芯片周缘孔环设置有沟槽,
在所述划线区域中比设置有所述芯片周缘孔环的部分更靠近所述芯片区域的部分中,设置有芯片周缘防护环,并且
所述芯片周缘防护环通过在所述芯片周缘孔环的侧部,以金属材料一体地填充至少与所述芯片周缘孔环一样深的整个沟槽而形成。
7.如权利要求6所述的固态成像器件,其中,所述芯片周缘防护环形成为从顶向底变窄。
8.如权利要求6所述的固态成像器件,其中,
所述芯片周缘防护环由铜制成,并且
所述传感器元件在顶面上设置有有机树脂膜,以覆盖设置有所述芯片周缘防护环的部分。
9.如权利要求8所述的固态成像器件,其中,
所述传感器元件在所述第一半导体基板的顶面侧设置有片上透镜,所述片上透镜设置成与多个像素中的每一个一一对应,所述片上透镜适配成将光聚集在光电转换部的受光面上,并且
所述片上透镜是由设置成覆盖所述第一半导体基板的顶面上形成有所述片上透镜的部分的有机树脂膜加工而成的。
10.如权利要求6所述的固态成像器件,其中,
所述传感器元件包括第一半导体基板,所述第一半导体基板在面向所述逻辑元件的底面上具有第一互连层,
所述逻辑元件包括第二半导体基板,所述第二半导体基板在面向所述传感器元件的顶面上具有第二互连层,并且
所述芯片周缘孔环和所述芯片周缘防护环中的每一个设置成至少穿透所述第一半导体基板和所述第一互连层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210040619.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:通讯线收发标签固定装置
- 下一篇:一种感应发光旋转的地球仪
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的