[发明专利]一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器无效
| 申请号： | 201210040786.0 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102593234A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄泽强;江灏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/076 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 吸收 倍增 分离 紫外 雪崩 光电 探测器 | ||
1.一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：器件包括衬底（1），依次生长在衬底（1）上的缓冲层（2），n型掺杂GaN层（3），非掺杂或低掺杂浓度的本征GaN吸收层（4），低掺杂浓度的n型GaN层（5），低掺杂浓度的n型AlGaN组分缓变层（6），非掺杂的本征AlxGa1-xN倍增层（7），p型掺杂AlGaN组分缓变层（8），p型掺杂GaN层（9）。
2.根据权利要求1所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的n型掺杂GaN层（3）的厚度为0.4－5μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的非掺杂或低掺杂浓度的本征GaN吸收层（4）的厚度为0.05－1μm。
4.根据权利要求1所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的低掺杂浓度的n型GaN层（5）的厚度为0.02－0.2μm。
5.根据权利要求1所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的低掺杂浓度的n型AlGaN组分缓变层（6）的厚度为0.01－0.1μm。
6.根据权利要求1所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的非掺杂的本征AlxGa1-xN倍增层（7）的厚度为0.05－1μm。
7.根据权利要求6所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的非掺杂的本征AlxGa1-xN倍增层（7）的Al组分x为0.1－0.5。
8.根据权利要求1所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的p型掺杂AlGaN组分缓变层（8）的厚度为0.01－0.1μm。
9.根据权利要求5－8任一所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的低掺杂浓度的n型AlGaN组分缓变层（6）和p型掺杂AlGaN组分缓变层（8）的Al组分在0－x范围内梯度变化或者连续变化。
10.根据权利要求1所述的一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述的p型掺杂GaN层（9）的厚度为0.02－0.2μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210040786.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
