[发明专利]粒子捕捉单元、该粒子捕捉单元的制造方法及基板处理装置有效
申请号: | 201210040852.4 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN102693908A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 守屋刚;丰泉俊介;高广克之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;F04D19/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粒子 捕捉 单元 制造 方法 处理 装置 | ||
1.一种粒子捕捉单元,是暴露于粒子飞来的空间的粒子捕捉单元,其特征在于,
至少具备由多个第一纤维状物构成的第一层和由多个第二纤维状物构成的第二层,
所述第一纤维状物的粗细小于所述第二纤维状物的粗细,所述第一层中的所述第一纤维状物的配置密度高于所述第二层中的所述第二纤维状物的配置密度,
所述第二层介于所述第一层与所述粒子飞来的空间之间,
通过烧结使所述第一层与所述第二层固化而互相接合。
2.根据权利要求1所述的粒子捕捉单元,其特征在于,
所述第一纤维状物的粗细为直径0.2μm至3μm,所述第二纤维状物的粗细为直径3μm至30μm。
3.根据权利要求1或2所述的粒子捕捉单元,其特征在于,
还具备由第三纤维状物构成的第三层,该第三纤维状物的粗细大于所述第二纤维状物的粗细,该第三层被配置成经由所述第一层而与所述第二层相对置。
4.根据权利要求3所述的粒子捕捉单元,其特征在于,
所述第三纤维状物的粗细为直径30μm至400μm。
5.根据权利要求3或4所述的粒子捕捉单元,其特征在于,
还具备另外的所述第三层,该另外的所述第三层介于所述第二层与所述粒子飞来的空间之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的粒子捕捉单元,其特征在于,
所述第一纤维状物及所述第二纤维状物由不锈钢构成。
7.一种粒子捕捉单元的制造方法,是暴露于粒子飞来的空间的粒子捕捉单元的制造方法,其特征在于,
具有以下步骤:
层形成步骤,形成由多个第一纤维状物构成的第一层和由多个第二纤维状物构成的第二层;
成形步骤,将所述第一层与所述第二层重叠,并将该重叠的第一层和第二层成形为预期的形状,使得所述第二层介于所述第一层与所述粒子飞来的空间之间;以及
烧结步骤,通过烧结使所述第一层与所述第二层固化而互相接合,
所述第一纤维状物的粗细小于所述第二纤维状物的粗细,所述第一层中的所述第一纤维状物的配置密度高于所述第二层中的所述第二纤维状物的配置密度。
8.一种基板处理装置,具备:对基板实施规定的处理的处理室、具有高速旋转的旋转翼从而将处理室内的气体排出的排气泵、以及使所述处理室与所述排气泵连通的排气系统,该基板处理装置的特征在于,
还具备暴露于排气系统内的空间的粒子捕捉单元,
所述粒子捕捉单元至少具备:由多个第一纤维状物构成的第一层和由多个第二纤维状物构成的第二层,
所述第一纤维状物的粗细小于所述第二纤维状物的粗细,所述第一层中的所述第一纤维状物的配置密度高于所述第二层中的所述第二纤维状物的配置密度,
所述第二层介于所述第一层与所述排气系统内的空间之间,
通过烧结使所述第一层与所述第二层固化而互相接合。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排气系统具有排气管,
所述粒子捕捉单元具有:圆筒部分,该圆筒部分沿所述排气管的内周面配置;以及板状部分,该板状部分配置在比所述排气泵更靠排出气体的上游,并且以覆盖所述旋转轴的方式配置在所述排气泵中的所述旋转翼的旋转轴的延长线上。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述粒子捕捉单元还具有从所述圆筒部分向所述排气管的内侧突出的多个突出部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造