[发明专利]凸块封装结构及凸块封装方法

权利要求书

1.一种凸块封装方法，其特征在于，包括：

提供待封装衬底，所述待封装衬底表面具有焊垫，焊垫表面具有凸块；

在所述待封装衬底表面形成覆盖所述凸块的异向导电胶层；

提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的电极，所述电极位置与凸块位置对应；

将PCB板与待封装衬底压合，使得所述电极与所述凸块位置正对并且PCB板表面与异向导电胶层表面接触，其中，位于所述凸块与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力。

2.如权利要求1所述凸块封装方法，其特征在于，所述异向导电胶层材料为异向导电薄膜。

3.如权利要求2所述凸块封装方法，其特征在于，所述异向导电胶层组成为绝缘胶材中分散着导电粒子。

4.如权利要求3所述凸块封装方法，其特征在于，所述异向导电胶层组成为为胶状环氧树脂中分散着导电粒子。

5.如权利要求1所述凸块封装方法，其特征在于，所述凸块的形成步骤为：在所述焊垫表面形成光刻胶柱，所述光刻胶柱暴露出部分所述焊垫表面；在所述焊垫表面形成覆盖所述光刻胶柱的导电层。

6.如权利要求1所述凸块封装方法，其特征在于，所述凸块的形成步骤为：在所述焊垫两侧的待封装衬底表面形成光刻胶柱；在所述焊垫表面形成覆盖所述光刻胶柱表面和位于所述焊垫表面的光刻胶柱侧壁的导电层。

7.如权利要求1所述凸块封装方法，其特征在于，所述凸块的形成步骤为：在所述焊垫一侧的待封装衬底表面形成光刻胶柱；在所述焊垫表面形成覆盖所述光刻胶柱表面和位于所述焊垫表面的光刻胶柱侧壁的导电层。

8.如权利要求5、6或7所述凸块封装方法，其特征在于，所述导电层为铝层、镍层和金层的堆叠结构。

9.如权利要求1所述凸块封装方法，其特征在于，所述凸块的形成步骤为：采用物理气相沉积工艺形成覆盖所述焊垫和待封装衬底的金属膜；在所述金属膜表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形覆盖与所述焊垫对应的金属膜；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述金属膜直至暴露出待封装衬底，形成凸块。

10.如权利要求1所述凸块封装方法，其特征在于，所述凸块的形成步骤为：提供金属板，将所述金属板与待封装衬底键合；在所述金属板表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形覆盖与所述焊垫对应的金属板；以所述光刻胶图形为掩膜，采用湿法刻蚀或干法刻蚀所述金属板，直至暴露出待封装衬底，形成凸块。

11.如权利要求9或10所述凸块封装方法，其特征在于，所述凸块为单一覆层或多层堆叠结构。

12.如权利要求1所述凸块封装方法，其特征在于，所述异向导电胶层表面高于所述凸块表面。

13.如权利要求1所述凸块封装方法，其特征在于，所述待封装衬底表面具有钝化层，且所述钝化层覆盖部分所述焊垫表面。

14.一种凸块封装结构，其特征在于，包括：

待封装衬底，所述待封装衬底表面具有焊垫，焊垫表面具有凸块；

位于所述待封装衬底表面且覆盖所述凸块的异向导电胶层；

与所述异向导电胶层粘合的PCB板，所述PCB板表面具有突出PCB板表面的电极，所述电极位置与凸块位置对应，位于所述凸块与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力。

15.如权利要求14所述的凸块封装结构，其特征在于，所述异向导电胶层材料为异向导电薄膜。

16.如权利要求14所述的凸块封装结构，其特征在于，所述异向导电胶层组成为绝缘胶材中分散着导电粒子。

17.如权利要求14所述的凸块封装结构，其特征在于，所述异向导电胶层组成为为胶状环氧树脂中分散着导电粒子。

18.如权利要求14所述的凸块封装结构，其特征在于，所述凸块为单一覆层或多层堆叠结构。

19.如权利要求14所述的凸块封装结构，其特征在于，所述凸块包括：位于所述焊垫表面的光刻胶柱和位于所述焊垫表面且覆盖所述光刻胶柱的导电层。