[发明专利]射频功率放大器及其输入匹配电路有效

专利信息
申请号: 201210041189.X 申请日: 2012-02-22
公开(公告)号: CN102594264A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 刘轶 申请(专利权)人: 刘轶
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/32;H03G3/20
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201210 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 射频 功率放大器 及其 输入 匹配 电路
【权利要求书】:

1.一种射频功率放大器,至少包括:

偏置电路,用于为射频功率放大管提供偏置电压;

输入匹配电路,连接于该偏置电路输出端与该射频功率放大管基极之间,用于匹配元件间的阻抗以避免射频信号于传输过程中功率损耗,该输入匹配电路还与一输入隔直电容的一端连接,该输入隔直电容的另一端连接于射频输入信号;以及

射频功率放大管,用于对输入的射频信号进行放大,其发射极接地,集电极放大后的信号给后续电路,并连接至一电源电压。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于:该输入匹配电路至少包括并联的第三电感及第三电阻,该并联的第三电感及第三电阻组成并联谐振,连接于该偏置电路的输出端与该射频功率放大管基极之间,谐振于工作频带的中心,以阻止射频输入信号经偏置电路分流。

3.如权利要求2所述的射频功率放大器,其特征在于:该输入匹配电路还包括第二电容,该第二电容连接于该射频功率放大管集电极与基极之间,用于负反馈以扩展工作频率与稳定工作状态。

4.如权利要求3所述的射频功率放大器,其特征在于:该射频功率放大器还包括第一电阻及第二电阻,该第一电阻连接于该射频功率放大管的基极,该第二电阻连接于该射频功率放大管的发射极与地之间。

5.如权利要求4所述的射频功率放大器,其特征在于:该第一电阻与该第二电阻为该射频功率放大管陈列的寄生电阻。

6.如权利要求5所述的射频功率放大器,其特征在于:该射频功率放大器还包括第二电感,该第二电感通过该第一电阻连接至该射频功率放大管的基极。

7.如权利要求6所述的射频功率放大器,其特征在于:该第二电感为该射频功率放大管陈列的寄生电感。

8.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于:该电源电压通过长线连接至该射频功率放大管集电极,长线等效为电感。

9.一种射频功率放大器的输入匹配电路,其特征在于:该输入匹配电路至少包括并联的第三电感与第三电容,该并联的第三电感及第三电阻组成并联谐振,连接于该射频功率放大器的偏置电路的输出端与射频功率放大管基极之间,谐振于工作频带的中心,以阻止射频输入信号经偏置电路分流。

10.如权利要求9所述的射频功率放大器的输入匹配电路,其特征在于:该输入匹配电路还包括第二电容,该第二电容连接于该射频功率放大管集电极与基极之间,用于负反馈以扩展工作频率与稳定工作状态。

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