[发明专利]水槽浸泡法恢复晶体硅极化组件的方法无效
| 申请号： | 201210041850.7 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102544232A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 姜猛;庞慧娟 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水槽 浸泡 恢复 晶体 极化 组件 方法 | ||
1.一种水槽浸泡法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：将太阳能组件(1)整体浸泡在导电溶液(2)中，太阳能组件(1)的引出线及端子不能浸泡在导电溶液(2)中，需引出，将直流恒压源(3)与太阳能组件(1)的引出线连接，施加电压，施加的电压在1000V-1500V之间，
对于N型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的边框连接；
对于P型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的边框连接。
2.根据权利要求1所述的水槽浸泡法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：对太阳能组件(1)施加电压时，检测漏电流。
3.根据权利要求1所述的水槽浸泡法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：导电溶液(2)为水、或活性较高的离子溶液。
4.根据权利要求1所述的水槽浸泡法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：具体步骤为：
a.配备一可容下太阳能组件(1)整体的水槽(4)，并注入导电溶液(2)；
b.将太阳能组件(1)整体浸泡在导电溶液(2)中，引出线及端子不能浸泡在导电溶液(2)中，需引出；
c.将直流恒压源(3)与太阳能组件(1)的引出线连接，在直流恒压源(3)和太阳能组件(1)的连接电路中串入漏电流检测仪(5)，直流恒压源(3)与太阳能组件(1)的连接方式为：
对于N型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的边框连接；
对于P型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的边框连接；
d.对太阳能组件(1)施加电压1000V电压，并监控漏电流；
e.极化恢复过程中根据实际情况间隔一段时间通过监控的漏电流来确定极化组件的恢复情况及组件电池片的情况。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
